1) selenium in water
水质中硒
1.
3\'-Diaminobenzidine spectrophotometry was used in the determination of the selenium in water.
3\'-二氨基联苯胺分光光度法对测定水质中硒的方法进行改进,主要研究了样品中硒的测定条件,通过对不同显色波长、酸碱度显色条件、显色剂用量、酸碱度比色条件的研究,得出比较理想的定量分析条件。
2) impurities in water
水中杂质
1.
In waterworks practice, the factors such as pH, temperature, turbidity and impurities in water, that influence the chlorine dosage.
结合自来水厂生产实际 ,分析了水的 pH值、水温、浑浊度、水中杂质对加氯量的影响 ,以指导水厂氯气的投加
3) elemental selenium
单质硒
1.
Sodium selenite reduction to elemental selenium by Bacillus HBS4;
芽孢杆菌HBS4还原亚硒酸钠为单质硒的实验研究
4) selenosis
[英][,seli'nəusis] [美][,sɛlə'nosɪs]
硒中毒
1.
Such a viewpoint has always been prevailing in selenium academic field for many years that the livestock poisoning due to having eaten poisonous grass is referred to as selenosis,which happened in Suzhou of Northwest China,recorded in 〈The Travel of Marco Polo〉 during the 13~(th) century.
硒学术界普遍认为《马可波罗游记》中记载的中国西部牲畜毒草中毒是人类历史上最早对“硒中毒”的描述,但至今没有可靠的科学依据。
5) Se in coal
煤中硒
1.
The " stone coal "contains more Se in coal and due to the improper use of "stone coal" Se can af.
自然煤中硒的含量很低,对我国1315个煤样的分析资料统计,多数煤中硒含量在0。
6) selenium poisoning
硒中毒
1.
Relation of free radical and apoptosis in duckling with selenium poisoning;
硒中毒雏鸭自由基与细胞凋亡的关系
2.
The effect of selenium poisoning on reproduction in rabbits;
硒中毒对家兔繁殖机能的影响
3.
Different toxic doses of sodium selenite were given to the experimental rabbits by means of muscular injection weekly and subacute selenium poisoning model in rabbits was produced over eight weeks.
给家兔分别肌肉注射不同剂量的亚硒酸钠，历时八周，复制出亚急性硒中毒的动物模型。
补充资料：半导体中杂质和缺陷的红外吸收
半导体中杂质和缺陷的红外吸收
infrared absorption of impurities and defects in semiconductors
半导体中杂质和缺陷的红外吸收1 n fraredabsorPtion of imPurities and defeets in semieondue-tors研究和检测半导体材料中杂质和缺陷的一种方法。20世纪50年代初期，固体中杂质和缺陷的光谱研究就从理论和实验上发展起来。随着半导体技术的发展，研究半导体中杂质和缺陷行为已成为材料质量检验和半导体物理的一个重要部分。通过研究杂质和缺陷吸收光谱的特征参量(如吸收峰的频率、积分强度、半高宽和精细结构等)及其在各种外加条件下的变化，可以获得关于杂质和缺陷的电子状态和原子组态的信息。这些信息能揭示杂质和缺陷的本质，并提供较直接的证据。 测t原理和仪器光在均匀固体介质中传播时，光强按指数规律衰减。若不考虑样品的表面反射和多次内反射，一束入射强度为10的光，通过厚为d(cm)、吸收系数为a(cm一‘)的半导体样品，其出射光强为I。根据兰伯定律 I=Ioe一a己透过率为…I1=矛~一二e一 1。若考虑光线在样品表面的反射和在样品内部的多次内反射，则(1一R)Ze一“dl一R Ze一Zad式中R为反射系数。吸收系数a表征光吸收的强弱，对光子能量的依赖关系为吸收光谱。若d已知，测定T后即可求出a。 在测量过程中，当杂质吸收峰与晶格吸收峰不叠加时，可用无样品背景作参考光谱。若杂质吸收峰与晶格吸收峰叠加时，则可用不含杂质的样品作为参考样品，其厚度应与被测样品的厚度相同，以抵消叠加带、反射和散射的影响。吸收峰极大值处吸收系数通常采用基线法计算，即作吸收峰两侧的切线，求出在吸收峰极大值处从基线到吸收峰值的吸收系数、ax。 在测量杂质和缺陷的红外吸收时，为避免自由载流子吸收过大，样品应具有适当高的电阻率。而且，如果所观测的缺陷吸收峰与晶格声子吸收叠加时，应当限制样品的厚度，以便增加透射光强度，保证杂质和缺陷吸收峰的测量。通常，测量样品为双面抛光的平行板，厚度可为0.2一smm，样品的厚度视有无背景声子吸收和杂质吸收峰的吸收系数而定。 红外光谱测量一般在红外分光光度计上进行。这类仪器过去主要是色散型的棱镜或光栅光谱仪，近年，采用迈克尔逊干涉仪进行频率调制分光的傅里叶变换光谱仪亦被广泛使用。后一种仪器已用于半导体材料的杂质和缺陷的测量和研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条