1) misfit dislocation network
失配位错网
2) misfit dislocation
失配位错
1.
Structure and formation of misfit dislocations in an epitaxial fcc film;
面心立方晶体外延膜沉积生长中失配位错的结构与形成过程
2.
Conditions for formation of misfit dislocation in epitaxial films—a molecular dynamics study;
外延生长薄膜中失配位错形成条件的分子动力学模拟研究
3.
Two types of dissociated misfit dislocations in epitaxial Ba_(0.3)Sr_(0.7)TiO_3 thin films grown on(001) LaAlO_3
钙钛矿型外延薄膜中两种分解失配位错的HRTEM研究
3) distribution of misfit dislocation
失配位错的分布
4) misfit dislocation
(晶格)失配位错
5) misfit dislocation
错配位错
1.
Among the three configurations analyzed, dynamics simulation results show that a pairs of edge misfit dislocations appeared at all the relaxed interfaces.
能量学计算发现 ,存在最优构型 ,动力学模拟显示不同构型的界面弛豫后 ,在相界面上都“成对”出现刃型错配位错 。
6) the ratio of the densities of the misfit dislocations at the upper and lower interfaces
上下界面失配位错的比
补充资料：失配位错
失配位错
misfit disloc，士;八。。
失配位错misfit disloeations若一对晶体其取向相同，但晶格常数稍有不同，被置于完全的接触时，则在接近于界面处的原子会略微调整它们的位置，这样就会使得界面区域中的原子或处于“好”的形位，或处于“坏”的形位。这些“坏”区域与晶体位错相类似，故名失配位错。F.C.弗兰克(F rank)和范德米尔(Vande Merwe)于1949年首次预言失配位错的存在，并描述了它们若干重要性质。首次实验演示则于1956年实现:锗中杂质硼、硅或锡引起区域性成分变化，导致晶格常数的微小变化，可以观测到这些区域边界处失配位错的存在。 失配位错最常出现在晶体薄膜与衬底的界面上、合金中的脱溶粒子周围、三维“岛”与其基体之间等。主要的实验观察方法是电子显微术。近年来得知在半导体“超晶格”结构中的内界面上产生的失配位错对于器件性能有重要影响，因为它们是杂质原子的从尤坐位，是掺杂物质的高扩散通道，并且是有效的复合中心。关于失配位错的扩散运动行为也有相当的研究，即材料温度升高时，界面上的失配位错有一些会以某种方式迁移到晶体内部去。若设扩散以空位机制进行，则失配位错扩散运动的策动力大致可分为3个部分:由扩散导致应力场所施之力;由于空位不平衡浓度产生之力(与克肯代尔效应联系);失配位错彼此间所施之力。对此种运动实验和理论都进行了不少工作。 失配位错对晶间互扩散起一定作用。失配应变可用来提高晶体完整性。 失配位错的模型构想及理论处理与晶界位错有一定联系，但不应忽视二者间的区别(见小角晶界)o (杨顺华)
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参考词条