1) trench oxide
槽氧
1.
A model of high voltage SOI-LDMOS with trench oxide in drift region
漂移区槽氧高压SOI-LDMOS器件模型
2) oxidation tank
氧化槽
1.
To cope with this problem, an improved scheme was put forward, which consists in dividing the circulation oxidation tank at the bottom of the absorption tower into an oxidation tank and a material-feed tank.
针对湿法烟气脱硫系统三塔合一后 ,脱硫率和石膏品质均有所下降的问题 ,提出吸收塔底部循环氧化槽分为氧化槽和加料槽的改进方案 ,并在并流降膜式湿法脱硫装置上进行了改进前后的试验。
2.
Modification of oxidation tank for aluminum workpiece oxidation at anode and related cooling system(from wall type water cooling to coil type direct coolant cooling)is reported with an increased heat exchange rate.
将氧化槽溶液由冷却水冷却改为直接冷却，提高了氧化槽液冷却速
3) Liquid oxygen(LO_2) tank
液氧贮槽
4) Deaerator
[di:'eiəreitə]
脱氧槽
1.
Reasonable Utilization of Process Condensate in Ammonia Plant — Setting-up Deaerator;
合理利用合成工艺冷凝液──增设脱氧槽
5) Oxygen filling tanker
充氧槽车
6) liquid oxygen vessel
液氧储槽
1.
The inner container stress distribution of a cryogenic liquid oxygen vessel is calculated with finite element methods under the condition of the high inner pressure and the strong collision,and the inner container strength with reasonable structure is verifide with analytical design method.
用有限元方法计算了低温液氧储槽内筒在３９２ Ｍ Ｐａ、１０ ｇ 冲击条件下的应力分布情况， 通过分析获得了一种合理的内筒结构并对冲击加强板进行了优化设
补充资料：V型槽金属-氧化物-半导体集成电路
在硅片表面上刻蚀出V型凹槽,并利用双扩散或外延生长等工艺在槽内制作的MOS集成电路，称为 VMOS电路。
基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。
结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。
应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
基本原理 有些化学试剂对硅单晶的不同晶面有不同的腐蚀速率,即各向异性的腐蚀特性。使用某些专门的腐蚀液,如N2H4和H2O各占50％的溶液、18克分子浓度的KOH等，对硅的腐蚀速率为[100]＞[110]＞[111],[100]晶面的腐蚀速率几乎是[111]晶面的100倍。使用SiO2作为腐蚀掩模,可以在[100]晶面的硅片上腐蚀出由四个会聚的[111]晶面组成的孔,形状如同倒置的金字塔。腐蚀深度与氧化层开口宽度之比为 0.707，每一个腐蚀出的[111]面与硅片表面成54.74°角。使用另外的腐蚀液，对不同电阻率的硅有不同腐蚀速率，可使腐蚀前沿成为截顶的倒置金字塔形的腐蚀坑。前者腐蚀坑的剖面为 V形槽，后者则为U形槽。
结构 经过外延生长、双扩散或离子注入等工艺加工的硅片,经过腐蚀可制成VMOS或UMOS场效应晶体管,其结构如下图。N+硅衬底上的N-层是靠外延生长得到的。P型层和N+层用双扩散法或离子注入法获得。其他栅极和氧化层的制做与常规MOS工艺相同。这种MOS晶体管的沟道是口字形,位于P型区的倾斜表面上。V型（或U型）槽有一定倾角，所以沟道长度约为P型层厚度的1.5倍。在沟道与漏之间设置N-外延层，是为了增加击穿电压并减少输出电容。
应用和发展 VMOS电路的优点是利用立体结构提高集成密度，获得自对准（由扩散层深度而不是由光刻分辨率决定）的短沟道结构，可用于高密度大规模集成电路。它能与E/D NMOS或 DMOS电路（见双扩散金属-氧化物-半导体集成电路）技术兼容。但是,这种工艺比较复杂，[111]晶面沟道的电子迁移率低,除少数高密度的只读存储器产品外，对其他产品尚未推广应用。另一方面，VMOS晶体管由于沟道短，宽长比可以做得很大，没有二次击穿效应，而且可用于多数载流子器件的抗辐射方面，在作为高频大功率有源器件方面有重要进展。设计的主要问题是既要有低的导通电阻，又要有高的击穿电压。对于VMOS结构高频功率管，通过选择合适的外延层（电阻率和厚度）、采用多 V型槽并联、加离子注入保护环和台面结构等方法可以解决这一问题。采用UMOS结构可使槽底平坦，减少电场集中效应，能提高击穿电压。同时，在栅极加正电压时，栅漏覆盖区变为累积层，也有利于扩展电阻的减小。击穿电压高达几百伏的VMOS晶体管已经研制成功。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条