1) charge neutrality
电中性条件
1.
From the charge neutrality,by analyzing the relation of impurity density and minority carrier con-centration under different temperature,calculating the rate of unionized dopant,ionization of dopant in single-doped semiconductor is determined and the formulae of carrier concentrations are deduced.
利用电中性条件,通过分析不同温度下杂质浓度和少子浓度的相对关系以及杂质未电离比率,讨论了如何判定具有单一杂质的半导体中杂质的电离状态并计算相应状态下的载流子浓度;通过判定少子浓度是远低于还是远高于杂质浓度,或是与杂质浓度相当,可有效区分饱和电离区、过渡区以及本征电离区并得到有效的载流子浓度计算公式;通过计算未电离杂质的比率可有效判定杂质半导体是处于低温弱电离区、中间电离区或饱和电离区,并得到其载流子浓度计算公式;最后通过实例说明判定方法的应用并计算相应的载流子浓度。
2) local charge neutrality condition
定域电荷中性条件
1.
In this work the variation of the band offset during the Si-GaP (110) heterojunction formation has been studied by using the self-consistent semiempirical tight-binding method combined with a local charge neutrality condition and the scattering theoretical method.
用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结形成过程中的能带偏移变化·能带偏移在第１层Ｓｉ覆盖在ＧａＰ（１１０）衬底上后即已形成，并随Ｓｉ覆盖层厚度而增加，至约５、６层后趋于最终值。
2.
The Si-GaP (110) heterojunction has been studied using the self-consistent semiempirical tight-binding method combined with a local charge neutrality condition and the scattering theoretical method.
用自洽的半经验紧束缚方法、定域电荷中性条件和散射理论方法研究了Ｓｉ—ＧａＰ（１１０）异质结，得到的主要结果是：ＧａＰ和Ｓｉ表面有相似的电子特性；由此构成的界面只显示了弱的相对于相应体的相互作用的微扰；在Ｓｉ／ＧａＰ（１１０）界面有不同于其他异质结的、由Ｓｉ－ＧａＰ界面态引起的界面势；两个半无限晶体构成的Ｓｉ一ＧａＰ（１１０）异质结的能带偏移为０。
3) litmusless condition
近中性条件
4) Neutral condition of vertical motion
中性运动条件
5) conditioned galvanic skin response
条件性皮电反应
6) impact conditions
命中条件
1.
From the characteristics of terminal guidance projectile at moving targets,the impact conditions of moving targets in simulation system were analyzed.
从末制导炮弹对运动目标射击的特点出发,探索了模拟系统设计中运动目标的命中条件。
补充资料：定域吸附
分子式：
CAS号：
性质：或称定位吸附。即只发生在吸附中心上的吸附。当固体表面能量分布波动较大，其波谷可视为吸附中心，波峰可视为能垒。吸附中心一般就是催化活性中心。定域吸附时，吸附粒子从一个吸附中心移向另一个吸附中心，需要爬过能垒，只有当吸附粒子热运动能超过能垒才能移动。化学吸附都是定域吸附，因为吸附粒子与吸附中心之间形成化学吸附键。吸附粒子是否移动，取决于粒子的热运动能和吸附中心间能垒的大小。
CAS号：
性质：或称定位吸附。即只发生在吸附中心上的吸附。当固体表面能量分布波动较大，其波谷可视为吸附中心，波峰可视为能垒。吸附中心一般就是催化活性中心。定域吸附时，吸附粒子从一个吸附中心移向另一个吸附中心，需要爬过能垒，只有当吸附粒子热运动能超过能垒才能移动。化学吸附都是定域吸附，因为吸附粒子与吸附中心之间形成化学吸附键。吸附粒子是否移动，取决于粒子的热运动能和吸附中心间能垒的大小。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条