1) defect region extraction
缺陷区域提取
2) defect extraction
缺陷提取
1.
Regarding the characteristic of X-ray inspection images of carbon materials, defect extraction techniques are studied, for this purpose the target boundary extraction algorithm and the image enhancement algorithm based on wavelet are developed.
针对炭素材料X射线检测图像的特点,对其缺陷提取技术进行了研究,设计了目标边界提取算法和基于小波变换的图像增强算法。
2.
Regarding the characteristic of X-ray detection images of carbon produce, defect extraction techniques were studied with target boundary extraction algorithm and image enhancement algorithm based on wavelet, background removal and enhancement of object region were implemented successfully.
针对炭素制品X射线检测图像的特点,对其缺陷提取技术进行了研究。
3.
To overcome the shortcomings of the current defect extraction methods for ICT(industrial computerized tomography) images,an adaptive filtering method based on the mathematical morphology was proposed.
试验结果表明,该方法能获得更好的图像缺陷提取效果。
3) regioerrors
区域缺陷
4) region extraction
区域提取
1.
Firstly, a TF region extraction method based on energy threshold is designed to identify the clustered energy of the signaland to extract the regions in TF plane occupied by clustered energy; Secondly, linear TF filters are designed to extract thecomp.
首先,设计了一种基于能量阈值的时频区域提取方法,识别出信号在时频面上的能量峰,并提取出能量峰所占据的时频区域;利用线性时频滤波器获取信号中的分量,将这些分量的时频分布叠加得到改善的时频分布。
5) extraction of main areas
主区域提取
6) imperfection sensitive region
缺陷敏感区域
1.
The concept of the imperfection sensitive region is given.
提出了结构缺陷敏感区域的概念。
2.
The concept of imperfection sensitive region is put forward.
提出了结构缺陷敏感区域的概念,即结构中对某种缺陷非常敏感的区域。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条