1) genesis of defect & their treatment
缺陷成因及处理
3) Quality Default and Cause
质量缺陷及成因
4) causes of defects
缺陷成因
1.
The causes of defects in channels formed with metal,plastic ducts,in combination with the practice of the fabrication of beams and slabs,pouring the continuous prestressed box beams on falsework or traveling form in the construction of bridge superstructures at four sites in the expressway,were conducted in brief in this paper,with giving some suggestions for prevention from the defects.
结合宁宿徐、乍嘉苏、常张和杭州湾大桥北接线高速公路梁板预制、支架现浇和挂篮悬浇预应力连续箱梁等桥梁上部构造工程实践,对预应力波纹管成孔缺陷成因进行了简要分析,并提出了针对性的防治措施。
5) defect treatment
缺陷处理
1.
Quality test and defect treatment of the concrete in 9# tunnel of Yellow River Division Project;
引黄工程9号隧洞混凝土质量检测和缺陷处理
2.
Non-destructive inspection and defect treatment for hydraulic tunnels of general main line in YRDP;
引黄总干线水工隧洞工程检测和缺陷处理
3.
Full Inspection and Defect Treatment of the LPG Tank;
液化石油气储罐的全面检验和缺陷处理
6) dealing with the defect
处理缺陷
1.
At the same time, it brings the problems during expanding or dealing with the defect for 220 kV GIS .
GIS设备以其性能优良、免维护等优点给电网安全稳定运行带来了保障,同时也带来了扩建或处理缺陷时的困难,停电及交流耐压也给系统带来了较大风险。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条