1) Cu-doping TiO2 thin film
Cu掺杂TiO2薄膜
1.
The evenly distributed Cu-doping TiO2 thin films deposited on carrier silicagel have been prepared by sol-gel processing.
采用溶胶-凝胶法在硅胶载体颗粒的表面制得Cu掺杂TiO2薄膜,通过扫描电镜(SEM)观察了TiO2纳米颗粒在载体表面的负载情况,显示二氧化钛纳米颗粒在载体表面是均匀分布的。
2) Nitrogen-doped TiO2 film
氮掺杂TiO2薄膜
3) Zn-doped TiO2 thin film
Zn掺杂TiO2薄膜
1.
The Zn-doped TiO2 thin films were prepared by RF magnetron sputtering,and their crystal structure,surface morphology and ultra-violet/visible absorption spectra were characterized by XRD,SEM and UV-Vis.
采用射频磁控溅射的方法制备Zn掺杂TiO2薄膜,用XRD、SEM和UV-Vis分别表征TiO2薄膜的晶体结构、表面形貌及其紫外-可见光吸收谱。
5) N doped titanium dioxide film
掺氮TiO2薄膜
6) film doping
薄膜掺杂
补充资料：Cu
铜
元素中文名:铜 原子量：55.847 熔点：1083c 原子序数：29
元素英文名: copper 价电子：3d10 沸点：2567c 核外电子排布:2,8,18,1
元素符号： cu 英文名： copper 中文名： 铜
相对原子质量： 63.55 常见化合价： +1,+2 电负性： 1.9
外围电子排布： 3d10 4s1 核外电子排布： 2,8,18,1
同位素及放射线： cu-61[3.4h] cu-62[9.7m] *cu-63 cu-64[12.7h] cu-65 cu-67[2.6d]
电子亲合和能： 118.3 kj·mol-1
第一电离能： 745 kj·mol-1 第二电离能： 1958 kj·mol-1 第三电离能： 3555 kj·mol-1
单质密度： 8.96 g/cm3 单质熔点： 1083.0 ℃ 单质沸点： 2567.0 ℃
原子半径： 1.57 埃 离子半径： 0.73(+2) 埃 共价半径： 1.17 埃
常见化合物： cuo cu2o cu2s cucl2 cu(oh)2 cuso4 cufes2 [cu(nh3)2]oh cuf2 cubr2
发现人： 远古就被发现 时间： 0 地点： 未知
名称由来：
元素符号来自拉丁文“cuprum”（以铜矿著称的塞浦路斯岛）。
元素描述：
柔韧有延展性的红棕色金属。
元素来源：
自然界很少存在铜单质。铜元素通常只见于硫化物如黄铜矿(cufes2)、coveline(cus)、辉铜矿，或者氧化物如赤铜矿中。
元素用途：
主要用作导体，也用于制造水管。铜合金可用作首饰和钱币的材料。
网络用语:see you，再见
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参考词条