1) Ce∶KNSBN crystal
Ce∶KNSBN晶体
2) KNSBN crystal
KNSBN晶体
1.
The electron-hole competition in doped KNSBN crystal is analyzed for the first time by measuring the recording and erasing kinetics of doped KNSBN crystals.
通过测量掺杂KNSBN晶体光折变光栅记录和擦除动态特性，首次分析了掺杂KNSBN晶体中的电子一空穴竞争。
3) Cu doped KNSBN crystal
掺铜KNSBN晶体
1.
The experiments and theoretical analysis on the erasure process of the grating, light induced absorption and thermal activation demonstrated that there exists a shallow level center besides a deep level center in the Cu doped KNSBN crystal.
从光栅擦除特性、光致吸收和热激发能三方面的实验和理论分析 ,证明了掺铜KNSBN晶体中除了掺入的铜离子作为深能级中心外 ,还存在浅能级中心 ,并认为它是晶体生长过程形成的氧空位。
4) doped KNSBN crystal
掺杂KNSBN晶体
5) LPS∶Ce crystal
LPS∶Ce晶体
6) Cerium richened carriers
富Ce载体
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条