1) static nonlinear analysis
非线性静力计算
1.
As a simple static nonlinear analysis for evaluating the seismic capacity of structures,pushover analysis has been widely used at home and abroad.
Pushover作为一种简便的评估结构抗震能力的非线性静力计算方法,在全世界范围内得到了深入的研究和广泛的应用。
3) hydrostatic calculations
静水力曲线计算
4) nonlinear calculation
非线性计算
5) static calculation characteristic
静力计算特性
6) nonlinear static analysis
非线性静力分析
1.
This paper introduces several typical nonlinear static analysis of establis.
非线性静力分析是对结构在罕遇地震作用下进行弹塑性变形分析的一种方法,目前广泛应用于结构的抗震性能评估中。
2.
In this paper, based on the nonlinear static analysis method at home and abroad,the fundamental concepts and implementing procedure of improved capacity spectrum method recently developed by Chopra and Goel are introduced firstly.
本文基于国内外非线性静力分析方法，阐述了最近由Chopra和Goel提出的改进能力谱法的基本概念和实施步骤；其次，结合文献[18]中提出的钢筋混凝土结构地震损伤“三水准”性能目标和改进能力谱法，提出了基于能力谱法的结构地震损伤性能简化设计及验算方法；最后，通过设计例题说明了本文方法的可行性，并将计算结果与时程分析进行了比较，显示了此法的有效性。
3.
Because the cabin moves very slowly, nonlinear static analysis can be used to calculate cable lengths, and furthermore the cabins position and postu.
由于馈源舱运动缓慢 ,故可以对馈源舱位于不同位姿时用非线性静力分析求解出索长 ,而馈源舱的位姿可以用测量仪器测量得到 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条