1) magnetoelectric crystals
磁电晶体
2) electromagnetic crystal
电磁晶体
1.
Aimed at the problems,of analysis on band gap of electromagnetic crystal using usual method,such as time-consuming,hard to be understood,a model of plane wave expansion(PWE) method is introduced in this paper and the plane wave expansion method is adopted to analyze the band gap structure of two-dimensional electromagnetic crystal with different shape of filling cell.
针对常见的电磁晶体带隙分析方法存在耗时、不易理解等问题,推导了二维电磁晶体的平面波展开法(Plane Wave Expansion,PWE)模型,并采用平面波展开法分析了不同形状填充单元二维方格子电磁晶体的带隙结构。
3) electromagnetic(photon)
电磁(光子)晶体
4) transistor electromagnetic clock
晶体管电磁钟
5) transistor-core circuit
晶体管磁心电路
6) 2-D electromagnetic crystal
二维电磁晶体
1.
According to the fundamental principle of effective medium theory and the method of moment model for 1-D electromagnetic crystal,2-D electromagnetic crystals structure was equivalent to 1-D structure and the effects of effective permittivity with periodic-to-wavelength were calculated by using effective permittivity formulas in this paper.
根据等效介质理论的基本原理和一维电磁晶体的矩量法分析模型,将二维方格子电磁晶体等效为一维结构,用等效介电常数求解公式求解不同周期波长比和填充率的等效介电常数,由一维电磁晶体的矩量法分析模型求解二维电磁晶体的带隙结构。
补充资料：晶体管-晶体管逻辑电路
| 晶体管-晶体管逻辑电路 transistor-transistor logic 集成电路输入级和输出级全采用晶体管组成的单元门电路。简称TTL电路。它是将二极管-晶体管逻辑电路（DTL）中的二极管，改为使用多发射极晶体管而构成。TTL电路于1962年研制成功，基本门电路的结构和元件参数，经历了3次大的改进。同DTL电路相比，TTL电路速度显著提高，功耗大为降低。仅第一代TTL电路产品，就使开关速度比DTL电路提高5～10倍。采用肖特基二极管的第三代TTL电路，开关时间可缩短到3～5纳秒。绝大部分双极型集成电路，都是TTL电路产品。 |
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参考词条