2) silicon solar cell
晶体硅太阳电池
1.
Based on the equation of silicon solar cell current intensity, the theoretic expression of silicon solar cell load resistance at maximum power point is deduced.
从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发,推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。
3) Crystalline Si solar cells
晶体硅太阳电池
1.
Comparison of TiO 2 anti reflection coating (ARC) and SiN ARC were carried out by multi coating theory and numerical calculation, including their impact to performances of crystalline Si solar cells.
采用多层膜的反射理论及数值计算对比了TiO2 和SiN减反射膜用于晶体硅太阳电池对其性能的影响 ,给出了优化设计的结果 ,SiN膜的减反射膜的综合效果更优 。
4) crystalline silicon solar cell
晶体硅太阳电池
1.
Using a single pulse solar cell tester with constant light intensity for 5ms, we have studied the performance of conventional crystalline silicon solar cell with low concentrator( 1～10 sun)and cells temperature of 15～110℃at laboratory.
结果表明,室温下常规太阳电池的最佳工作点电压V_m和光功率放大系数a随入射光强增加呈现先增后降的趋势,并且串联电阻小的电池下降速度慢,串联电阻大的电池下降速度快；温度对晶体硅太阳电池的工作电压和输出功率相当敏感；在严格控制太阳电池工作温度的条件下,串联电阻小的电池在较宽的聚光范围内可以获得良好的使用效果。
2.
The spectral response measurements for crystalline silicon solar cells were carried out.
并对晶体硅太阳电池光谱响应进行了实际测量。
3.
The measurements of the screen printed silver finger contact resistance on crystalline silicon solar cells were investigated.
金属电极与硅的接触电阻是影响太阳电池填充因子和短路电流进而影响光电转换效率的重要因素之一,本文研究了晶体硅太阳电池丝网印刷烧结银电极与硅接触电阻及其测量。
5) microcrystalline silicon solar cells
微晶硅太阳电池
1.
Study of microcrystalline silicon solar cells fabricated by very high frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition;
甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究
2.
A phenomenon was found in the high rate deposition process of microcrystalline silicon solar cells by very-high- frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition(VHF-PECVD).
3%的单结微晶硅太阳电池。
6) multicrystalline silicon solar cells
多晶硅太阳电池
1.
It was discovered that open-circuit voltage decay in multicrystalline silicon solar cells was smaller than that of monocrystalline silicon solar cells after electron irradiation (1MeV with dose of 1 × 1014 cm-2, 1 × 1015 cm-2, 1 × 1016 cm-2).
多晶硅太阳电池在接受能量为1MeV,注量分别为1×10~(14)cm~(-2),1×10~(15)cm~(-2),1×10~(16)cm~(-2)电子辐照后,多晶硅太阳电池总的衰减大于空间用单晶硅太阳电池。
补充资料：晶体硅太阳电池
晶体硅太阳电池
crystalline silicon solar cell
晶体硅太阳电池(e、ystalline silieon solar:ell)用晶体硅材料制成的太阳电池。大致分为单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池两种。有些聚光型太阳电池也使用单晶硅材料。 单晶硅太阳电池用单晶硅片制作的太阳电池。按单晶硅锭的生长方法可分为直拉法和区熔法两种。单晶硅太阳电池主要使用直拉法生长的单晶硅锭。直拉法是将半导体级(或太阳级)多晶硅作为原料放人石英甜塌中加以熔融，同时加人微量的掺杂剂，通常是用硼(P型掺杂剂)，在温度可以控制的情况下用籽晶从熔体中拉出大圆柱形的单晶硅锭。在实际的工业生产中为了降低成本，目前主要是使用半导体工业中所产生的次品硅(单晶或多晶头尾料)做为投炉料，但所得硅锭的纯度要达到6一7N，才能获得高效率的电池。这种供太阳电池用的次品硅料占半导体工业所生产硅料的10%。一般制备太阳电池是使用硅片，其尺寸多为必100及zOOmm又loomm，厚度为300~500拌m，型号为P型，电阻率为。.5一5几·cm。为了保证硅片的质量，其氧、碳含量应小于1汉1少”/cm“，扩散长度要大于50拜m。科研上研制的最高效率太阳电池是用区熔法制作的硅片。 硅锭经过切片后，再在表面扩散一层薄的N型层而形成P一N结，然后使用丝网印刷法(或用真空蒸镀法)于硅片的正面及反面形成金属(银、铝等)电极，再镀上一层减反射的介质膜以减少硅片表面的光反射，就形成了单体太阳电池。商品单晶硅太阳电池的转换效率为12~15%，实验室用的单晶硅太阳电池最高效率可达到24%。多晶硅太阳电池制造多晶硅太阳电他一般采用铸锭方法制造的多晶硅，铸锭方法包括定向凝固法和浇铸法两种。定向凝固法是将硅原料放在绪涡中加以熔融，然后将柑竭从热场逐渐下降或从柑塌底部通上冷源以造成一定的温度梯度，使固液界面从柑涡底部向上移动而形成晶锭。浇铸法是将熔化后的硅液从柑竭中倒人另一模具中以形成晶锭。90年代初铸锭的重量已能达到100一1 50kg。将所铸出的方形硅锭切成方形硅片即可用来做太阳电池。一般硅片尺寸为100mm又IOomm，平均晶粒大小为毫米级，商品多晶硅太阳电池的效率为10~13%，实验室用的多晶硅太阳电池效率已达到17%。 多晶硅太阳电池的优点是:①能直接铸出方形硅锭，提高了材料的利用率;②有的铸锭方法柑竭可以重复使用;③设备投资少，能耗小，技术简单易自动化;④比单晶硅较能容忍些杂质;⑤经过晶界钝化、表面处理等工序，也可使其效率接近于单晶硅太阳电池· 另一种多晶硅材料是片状硅或称为硅带，其目的是直接生长出硅带，以减少切片造成的损失，片厚约10。一2。。拜m，目前比较成熟的方法有枝蔓蹼状晶法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条