1) defects transmission
缺陷卡传递
1.
Taking the suburban branch of Jincheng Power Supply Company as study case, this paper investigates the professional reasons for low qualification rate of defects transmission and the existing problems in transmission process, and provides corresponding solutions to the problems.
以晋城供电分公司城郊供电支公司为例,分析了缺陷卡传递合格率低的原因及问题,提出了相应的解决方法。
2) genetic defect
遗传缺陷
1.
Analyzing the journey of discovering ascorbic acid,to make a theory on the genetic defect of the mankind about ascorbic acid.
通过对维生素C发现历程的分析,提出并阐述了人类抗坏血酸遗传缺陷学说。
2.
Some genetic defects could result in phenotype changes and impact pig industry.
猪的遗传缺陷是由于猪生殖细胞或受精卵中的遗传物质在结构或功能上发生了改变,从而使发育的个体表现出的缺陷或异常。
4) process identified card
传递卡
1.
The quality control methods of high standard steel pipes were discussed and analyzed in this paper,which included the color marking,number marking,process identified card,electrode process identified card and MRP/ERP(MRP,manufacturing resource planning;ERP,enterprise resource planning)method.
简述了目前高标准钢管质量控制基本方法,包括颜色标记法、序号标记法、传递卡法、电子传递卡法和MRP/ERP法等,对不同方法的优缺点进行了对比分析和研究,并且提出了今后钢管质量控制方法的发展趋势。
5) Genetic deficiency
遗传缺陷病
6) hereditary defect
遗传性缺陷
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条