1) polyamorphous transition
非晶多形态相变
2) amorphism-crystal transition
非晶态-晶态相变
3) amorphous phase transformation
非晶态相位变换
1.
By analyses of nanometric cutting process, energy and cutting forces, amorphous phase transformation and chip volume change are observed,but dislocations and elastic recovery behind t.
其中切削力的一个分力切向力在非晶态相位变换形成时起主要作用,另一分力轴向力是非晶态扩展的主要因素。
4) polyamorphic transformation
多非晶形性转变
5) amorphous phase
非晶形相
6) glass-transition
非晶相变
1.
Recently,researches have revealed that the granular jamming and glass-transition of amorphous matter,which seems to be out of the picture,may be intimately related to each other due to the strong analogies between these two systems.
近年来研究发现,颗粒物质堵塞(Jamming)和非晶相变(Glass-transition)这两个看似毫不相干的体系之间有着密切关联:颗粒物质的堵塞与非晶相变、颗粒堆积与非晶结构之间有着惊人的相似性,对颗粒物质堵塞过程的研究被认为是微观非晶转变的宏观化研究。
补充资料：非晶态离子导体
具有离子导电性的非晶态材料。正如半导体材料有晶态和非晶态之分一样，离子导体也可作成非晶态。有些材料从熔体自然冷却就能形成非晶态，而更多的材料则要在快速冷却条件下（约105K/s）才能制备成功。非晶离子导体具有一些独特的优点，例如它本身就是高缺陷结构，有利于离子的迁移；成分可以在一定范围内连续改变，从而可以使离子电导性最佳化；宏观性质是各向同性的、均匀的，这对应用很有利。然而非晶态离子导体也和其他非晶态材料一样，其稳定性较差。
实验上已发现，一些离子电导率很低的材料在作成非晶态后其离子电导率得到显著提高。不少Ag+和Li+导体制成非晶态后，离子电导率可提高1～2个数量级，也发现一些极端的例子。例如，非晶态LiNbO3在室温下的离子电导率就达到 2×-6Ω-1·cm-1,比晶态提高20个数量级，电导激活能降低到0.39eV，只为晶态的五分之一，因而将普通离子导体非晶态化已成为制备新的快离子导体的重要途径。离子电导率本来就比较高的材料作成非晶态后，其离子电导率反而可能降低,例如,93.75mol％Agl-6.25mol％Ag4P2O7非晶态的离子电导率比晶态的低约一个数量级。要解释上述实验现象就必须了解非晶态材料中离子的运动机制，这有赖于对非晶态材料的结构的研究。
实验上已发现，一些离子电导率很低的材料在作成非晶态后其离子电导率得到显著提高。不少Ag+和Li+导体制成非晶态后，离子电导率可提高1～2个数量级，也发现一些极端的例子。例如，非晶态LiNbO3在室温下的离子电导率就达到 2×-6Ω-1·cm-1,比晶态提高20个数量级，电导激活能降低到0.39eV，只为晶态的五分之一，因而将普通离子导体非晶态化已成为制备新的快离子导体的重要途径。离子电导率本来就比较高的材料作成非晶态后，其离子电导率反而可能降低,例如,93.75mol％Agl-6.25mol％Ag4P2O7非晶态的离子电导率比晶态的低约一个数量级。要解释上述实验现象就必须了解非晶态材料中离子的运动机制，这有赖于对非晶态材料的结构的研究。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条