1) nonlinearly parameterized uncertainties
非线性参数化不确定
2) nonlinear uncertainty parameter
非线性不确定性参数
1.
We taking the practical physical systems as the background, discuss the process that a class of uncertainty system with nonlinear uncertainty parameters is formed, and the standard mathematical model for this system is given.
以实际的物理系统为背景,讨论了一类带有非线性不确定性参数的不确定系统形成过程,同时给出了这类系统较规范的数学模型,并讨论了其中不确定性矩阵与原有物理系统的不确定性矩阵之间的描述关系及在一定的条件下所具有的描述形式。
3) nonlinear uncertain parameters
非线性不确定参数
1.
Study on robust control for linear systems with nonlinear uncertain parameters;
带有非线性不确定参数的线性系统的鲁棒控制
2.
It is studied that the problem of robust stabilizing for time-delay systems with nonlinear uncertain parameters by making use of Lyapunov method.
利用Lyapunov方法讨论了带有非线性不确定参数的时滞系统的鲁棒镇定问题。
3.
It is studied that the problem of robust stability and robust stabilizing for linear time - delay systems with nonlinear uncertain parameters by making use of Lyapunov method.
利用Lyapunov方法研究带有非线性不确定参数的线性时滞系统的鲁棒稳定性和鲁棒镇定问题。
4) non-parametric uncertaint
非参数不确定性
1.
There are parametric uncertainties and non-parametric uncertainties in the space robot system due to different factor,for example consumption of fuel,capture of unknown target,unknown of dynamic parameters,torque of gravity gradient,light pressure of sun,torque for atmospheric drag,friction torque of joint,disturb of environment, etc.
空间机器人系统由于燃料的消耗、操作未知或不确知负载以及动力学参数很难确知等因素,存在参数不确定性,又由于重力梯度力矩、气动力矩、太阳光压、关节摩擦和外界扰动等因素,还存在非参数不确定性。
6) linear parameter-varying type uncertainty
线性参变不确定
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条