1) Large device
大元件
2) amplifier element
放大元件
3) high-power silicon element
大功率硅元件
4) Large aperture optical components
大口径光学元件
1.
Testing the large aperture optical components by the stitching interferometer;
使用子孔径拼接法检测大口径光学元件
2.
In order to detect the flaws of large aperture optical components more efficiently and accurately,the paper proposes an optic micro-scattering-imaging detecting system which can recognize defects with micron size.
为实现大口径光学元件表面疵病的高效率、高精准的检测,本文提出一种能分辨微米级疵病的光学显微散射扫描成像检测系统,因为该检测系统单个子孔径的物方视场为毫米级,所以检测大口径光学元件需对X、Y方向进行子孔径扫描成像并将子孔径图拼接成同一坐标系下的全孔径图。
3.
Sub-aperture scanning stitching is used for surface defects detecting of large aperture optical components, and it plays an important part in the optical components detecting in Inertial Confinement Fusion system.
利用子孔径扫描拼接实现大口径光学元件表面疵病的高精度数字化评价,是ICF(Inertial Confinement Fusion)系统中光学元件检测的主要环节。
5) maximum set of operational devices
最大动作元件集
1.
Research on maximum set of operational devices in intelligent tickets system;
智能开票系统中最大动作元件集方法的研究
6) arge aperture optical components
大尺寸光学元件
1.
WT5”BZ]The power spectral density (PSD) was used to be the specific standard of the large aperture optical components.
采用功率谱密度 PSD(Power Spectral Density)作为大尺寸光学元件表面质量的评价标准 ,对其定义及计算普适公式及方法进行了详细的分析推导 ,给出了被测样品的计算结果 ,并就在不同条件下计算平均 PSD的方法和结果进行了分析比较和讨论。
补充资料：大功率电力电子器件
大功率电力电子器件
power electronic devices
dagonglU dlonl一d.Qnz一ql]lon大功率电力电子器件(powe:eleetroniedevices)用于处理大容t电功率、能够控制电路通断的电子器件。由于都是半导体器件，故又称电力半导体器件(power semieonduetor deviees)。电力半导体器件是在20世纪50年代初发展起来的半导体学科中与徽电子、光电子并肩迅猛发展的一门高技术。它是电力电子技术的基础和重要组成部分。随着电力半导体器件品种的增多和技术水平的提高，它的应用范围也日渐扩大。其应用范围涉及电力工业(如直流愉电、灵活交流粉电系统)、工业电源(如感应加热、电焊机、大型电解电被设备)、交通运物(如机车牵引、电动汽车)、电机控制(如发电机励磁、交直流电动机的调速)、家用电器(如空调、电热)、通信电源等等。应用领城的佑求(如节能、节材、缩小体积重且)，要求器件的工作叔率、结构以及封装方式等不断扩大及更新，又促进了器件品种和水平的发展。 由于电力半导体器件处理的是能源，减少损耗提高效率是它主要追求的目标.为此，所有电力半导体器件无不工作在开关方式下，这是它与徽电子器件的根本区别.但在组成电路时又需要采取措施对开关方式带来的波形毛刺及谐波等电网公害进行处理。 1947年第一只晶体管的诞生开始了半导体电子学的新纪元。1956年研制成带有开关特性的晶闸管，为半导体在功率控制领域的发展显示了光明的前景。最早发展起来的器件有整流二极管(rectifier diode)和晶闸管(t ransistor)。它们曾经主宰电力电子市场20余年.其品种、规格为了适应市场的需要已经发展成一个魔大的系列。以晶闸管为例，已经派生出高压大电流晶闸管、光控晶闸管、高频快速晶闸管、逆导晶闸管、双向晶闸管、门极辅助关断晶闸管、非对称晶闸管等等。这些器件的功能只限于用门极控制电路的开通，故名半控型.自20世纪70年代末开始，由于采用了徽电子技术的工艺成就，制成了大功率晶体管(gianttransistor，GTR)和可关断晶闸管(gate turn一offthyristor，GTO)。这一类器件既能用门极控制开通又能控制关断，故名全控型. 上述器件都是以电子和空穴两种载流子的运动为基础的，所以这类器件被称为双极型器件(bipo肠rdevices)。由于器件工作时两种载流子的产生与复合描要时间，妨碍了器件工作频率的进一步提高。双极型器件一般只能工作在10kH:以下，最高的也只能工作到20~sokH:。由于技术发展，要求其颇率范围日益扩大。
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参考词条