1) Buried Double p-n Junction(BDJ)
掩埋双p-n结
2) buried gate structure
掩埋栅结构
1.
Using the silicon direct bonding process to replace the high resistivity epitaxy process, a bonding buried gate structure differ from epitaxial structure is formed.
用SI/SI键合技术代替高阻厚外延工艺,制造出一种不同于外延掩埋栅结构的掩埋栅结构——键合掩埋栅结构,从制造工艺和器件结构上提高了VGK。
3) Buried heterostructure
掩埋异质结
4) p n p n junction
p n p n 结
5) n-p-n junction
n-p-n结
补充资料：掩埋
1.埋葬。
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参考词条