1) side-mode suppression
边模抑制
2) Side Mode Suppression Ratio
边模抑制比
1.
Influence of External Cavity Length on FBG-ECL s Side Mode Suppression Ratio;
外腔长度变化对外腔半导体激光器边模抑制比的影响
2.
The results show that,with the decrease of front facet reflectivity,the external cavity is more obvious and the side mode suppression ratio of FGESL increases.
结果表明前端面反射率越小,外腔模越明显,边模抑制比相应的也越大。
3) side-mode suppression ratio
边模抑制比
1.
Utilizing equivalent external cavity approximation model,the influence of peak reflectivity and bandwidth of optical Bragg grating on characteristic of FBG-ECL were analyzed,which included output optical power,threshold current,side-mode suppression ratio and so on.
根据FBG-ECL的等效腔模型,讨论了光纤光栅反射率、带宽对FBG-ECL的输出功率,阈值特性、边模抑制比等静态特性的影响。
2.
The output spectrum,the P-I curves and the side-mode suppression ratio of the spectrum have been numerical simulated.
本论文基于切趾光纤光栅外腔半导体激光器(AFGL)的传输矩阵模型,着重分析了切趾光纤光栅外腔的一些重要参数对外腔半导体激光器工作特性的影响,数值模拟了不同系统参数下的ECSL的P-I特性曲线、输出谱分布、以及腔内和腔外谱线的边模抑制比。
4) sidemode suppression ratio
边模抑制比
1.
Corresponding devices demonstrate that the maximum kink-free power per facet reaches 50 mW and the sidemode suppression ratio is 36 dB.
在此基础上制作的器件功率达到了单面50mW,边模抑制比为36dB。
2.
A simple self-seeding scheme was demonstrated for tunable dual-wavelength optical short pulse generation with enhanced sidemode suppression ratio.
介绍一种简单的以自激注入锁定方式、生成边模抑制比改善的、可调谐双波长超短光脉冲的实验系统。
3.
The system is simple and efficient, and sidemode suppression ratio (SMSR) of the output pulses obtai.
该实验系统简单而高效,在24nm的波长调谐范围内获得了边模抑制比高于40dB的单模光脉冲输出;而在1521。
5) sideband suppression
边带抑制
1.
The paper analyses the problem of sideband suppression and LO leakage about Direct Quadrature Up-Conversion(DQUC).
分析直接正交调制技术的边带抑制和本振泄漏问题,基于正交调制上变频原理,采用AD8346芯片,给出一种L波段直接正交变频发射机的设计方案。
2.
Based on a simple quadrature modulator model,this paper proposed a novel measurement and compensation method for I/Q imbalance,and analyzed the mathematical relationship between I/Q imbalance and the sideband suppression.
正交调制器的幅度不平衡和相位正交误差(I/Q不平衡)是许多系统设计中不可避免要遇到的难点,本文基于简单的正交调制器模型,提出了测试幅度不平衡和相位正交误差参数以及补偿I/Q不平衡的方法,并从数学上严格推导了I/Q不平衡与边带抑制的关系。
6) suppression of side band
边瓣抑制
补充资料：共模干扰抑制器
共模干扰抑制器
common mode rejector,CMR
加而加大。图2表示用磁珠抑制共模干扰的安装方式，如果将导线在磁管上绕几圈，则总电感和阻抗将随圈数的平方而加大。但圈数增加，匝间分布电容增加，对高端频率干扰的抑制作用随之下降。︹口︸叹硬，岁朋沁┌──────┬────────────┬───┐│ │了一 │l— │├──────┤ │自、 ││性岁一，l’-│ │ │├──────┼────────────┼───┤│_·~’\.L │Z达 │\ │├──────┼────────────┼───┤│\ │沪~ │火、 ││ \ │ │ ││ 、 │ │ │├──────┼────────────┼───┤│声 │奚一之 │ ││ │/、、‘ │ │├──────┼────────────┼───┤│Z了夕 │ ’\’\ │l ││ │ \， │、 ││ │ .、、 │ ，│└──────┴────────────┴───┘︸﹄月.3，‘[ ︵誉)翻.即预*《卜一z、图1铁氧体元件的电感、电抗、电阻 及阻抗与频率的关系 图2套上铁氧体磁珠抑制共模噪声 磁环的应用在一个磁环上绕两个圈数相等、绕向相反的独立线圈，则通过线圈的差模信号电流在磁芯内产生的磁通大小相等.方向相反，故线圈阻抗对有用的差模信号无影响，但共模信号电流在磁芯内产生的磁通大小相等，方向相同，因而使线圈的电感加倍，从而对共模干扰起到良好的抑制作用，如图3所示。如果将两根导线并在一起同时绕，也可起到同样作用。这种共模抑制方法可以很方便地用于交流电源回路中。 图3磁环共模抑制器(a)有用信号电流I，磁通反相，(b)共模干扰电流 厂，磁通同相gongmo gonroo y.zh一q{共模干扰抑制器(eommon mode:ejeetor，CMR)通过增大地回路中连线的阻抗以减小干扰电流从而达到抑制共模干扰作用的元件。抑制共模干扰的典型做法有两类:一是隔离公共回路，二是吸收共模信号。隔离公共回路的有效方法主要有:在低频信号回路中采用隔离变压器、将信号或负载的参考点浮地(不接地)、在数据回路中使用光拐合器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条