1) Inside quantum and outside the quantum
内量子与外量子
2) external quantum number
外量子数
4) quantum and gate
量子与门
1.
With a linear superposition a single bit of quantum non-gate together with quantum and gate,it proved that the trapped two ions system in the relatively quantu.
运用量子理论,在Paul阱中共线两离子系统的精确解的基础上,结合量子编码方法,讨论了囚禁两离子系统量子非门(单比特逻辑非门、两比特逻辑非门)实现的理论方法,提出利用质心振动模和两离子构建量子与门的理论方法(不需第三个离子),通过分析,证明了囚禁两离子系统在相对量子数l=1时,可制备为单比特量子非门和量子与门的线性叠加,可以完成并行量子逻辑操作,量子非门和量子与门是构成量子计算机制基本结构单元,值得我们在量子信息实验研究中加以考虑。
2.
After defining the quantum and gate,we introduce a new scheme on how to realize quantum and gate,which utilizes the superiority that quantum strategies are more successful than classical ones.
在定义了量子逻辑与门之后,利用在博弈游戏中量子策略比经典策略更具优越性这一特点,从理论上提出了一套实现量子与门的新方案:把量子逻辑与门的操作用两个可分辨的量子硬币来实现。
5) intra-and inter-molecular doublequantum coherences
分子内与分子间双量子相干
6) external quantum efficiency
外量子效率
1.
Enhanced external quantum efficiency of light emitting diodes by fabricating two-dimensional photonic crystal sapphire substrate with holographic technique
全息技术制作二维光子晶体蓝宝石衬底提高发光二极管外量子效率
2.
The external quantum efficiency of photon crystal(PHC) structured LED is calculated.
对光子晶体结构的外量子效率进行了计算。
3.
Several approaches to enhance the external quantum efficiency of LED are discussed,such as growth of distributed Bragg reflector(DBR) tabricat-ing,transparent substrates technology,surface lift-off,flip-chip,surface roughening,unusual chip and photonic crystal structure.
简要介绍了从芯片技术角度提高发光二极管(LED)外量子效率的几种途径,生长分布布拉格反射层结构、制作透明衬底、衬底剥离技术、倒装芯片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。
补充资料：磁量子数
磁量子数m
同一亚层（l值相同）的几条轨道对原子核的取向不同。磁量子数m是描述原子轨道或电子云在空间的伸展方向。m取值受角量子数取值限制，对于给定的l值，m=0，1，2…l，共2l+1个值。这些取值意味着在角量子数为l的亚层有2l+1个取向，而每一个取向相当于一条“原子轨道”。如l=2的d亚层，m=0，1，2，共有5个取值，表示d亚层有5条伸展方向不同的原子轨道，即dxy、dxz、dyz、dx2—y2、dz2。我们把同一亚层（l相同）伸展方向不同的原子轨道称为等价轨道或简并轨道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条