1) Resistive random access memory(RRAM)
阻变存储器
1.
Resistive random access memory(RRAM) is one of the most promising candidates for next generation of non-volatile memory.
在各种新型非挥发性存储器中,阻变存储器(RRAM)具有成为下一代存储器的潜力。
2) Resistive Memory
电阻存储器
3) memristor
存储电阻器
4) phase change memory
相变存储器
1.
Technology and status of embedded phase change memory;
嵌入式相变存储器的技术特点和研究现状
2.
Storage characteristics of phase change memory cells based on Sn-doped Ge_2Sb_2Te_5;
基于Sn掺杂Ge_2Sb_2Te_5的相变存储器器件单元存储性能
3.
Multiple-state storage capability of nitrogen-doped Ge_2Sb_2Te_5 film for phase change memory;
氮掺杂Ge_2Sb_2Te_5相变存储器的多态存储功能
5) variable-memory
可变存储器
6) var memorizer
变量存储器
1.
The parameter list is a method that store a lot of parameters in a form of list to PLC var memorizer,and these parameter lists are accessed by some pointers in the function modules.
参数表是指将大量参数以表的方式存储到PLC的变量存储器中,在PLC功能模块中通过指针引用来实现对参数表的访问。
补充资料：随机存取存储器(见半导体存储器)
随机存取存储器(见半导体存储器)
random access memory,RAM
s日1}}Cunq日Ct旧choql随机存取存储器random aeeess memoryRAM)见半导体存储器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条