2) static compensator
静态补偿器
3) STATCOM
静态同步补偿器
1.
STATCOM WITH THE STRUCTURE OF MAIN-AUXILIARY INVERTER;
采用主从型逆变器结构的静态同步补偿器
2.
MEASURMET AND ANALYSIS OF RADIATED EMISSIONS GENERATED BY A STATCOM-BASED SUBSTATION;
基于静态同步补偿器的变电站中电磁辐射测试分析
3.
As the broad application of multilevel inverters in high-power area, a cascaded multilevel (voltage-source) inverter with phase-shifted SPWM (PSSPWM) switching scheme is proposed to be used as a static synchronous compensator (STATCOM), which can eliminate the bulky and weighty transformers and reduce power loss.
随着多电平变换器在高压大功率方面的广泛应用,针对目前静态同步补偿器(STATCOM)存在的问题,提出了将级联多电平逆变器作为STATCOM的主拓扑,运用相移SPWM(PSSPWM)进行调制的解决方案,该方案既能省去庞大笨重的变压器,减小功耗;还可以成倍提高等效载波频率,降低输出谐波含量。
4) SVC
静态无功补偿器
1.
The electromagnetic compatible environments in substations installed with new SVC devices need to be re-evaluated, to provide sufficient immunity measures.
安装新型静态无功补偿器(SVC)的变电站,其电磁兼容环境需要重新评估,以提出足够的电磁抗扰性措施。
2.
Based on the dynamic switching characteristics of the thyristors,a simulation methodology is established to investigate the high-frequency conducted interference derived from SVC (Static Var Compensator) devices.
为分析和预测由静态无功补偿器(SVC)产生的高频传导电磁干扰,基于晶闸管的动态开关特性,给出了SVC传导干扰仿真的建模方法,它以非线性时变电阻作为晶闸管宏模型的内核,建立含有晶闸管控制电抗器(TCR)支路与晶闸管开关电容器(TSC)支路的SVC仿真模型。
3.
With regard to a FC-TCR type SVC installation used for the rolling mills system,dynamic simulation models were established based on the Matlab SimPower Systems Blocksets to study the induced electromagnetic emissions.
针对用于轧钢机负荷的一套晶闸管控制电抗器型静态无功补偿器(SVC),基于Matlab软件系统建立了其动态仿真模型,以定量分析和预测电磁骚扰情况。
6) static synchronous series compensator (SSSC)
静态同步串联补偿器(SSSC)
补充资料：金属-氧化物-半导体静态随机存储器
具有静态存储信息功能的MOS随机存储器,其存储单元的核心部分是双稳电路。只要电源不断，在单元内的信息便能长期保存，不需要对所存储的信息作周期性的刷新。
原理 图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1～T4连接成双稳态电路，T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分（图2）。
地址译码按单元阵列的矩形排列，分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中，高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。
在一个读操作周期(图3)内，为低电平(选中),为高电平（读操作）。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程，这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和，即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。
应用 MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便，已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目，在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4，八位结构用2k×8。另外，为了减少管壳的引出端数，通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O)，由读写控制器控制，按时分别执行输入(写)、输出(读)，以及维持（即不读、不写）等三种功能。
发展 微处理机技术的发展，促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时，随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元，使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术，使取数时间大大加快。例如，采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件，取数时间可达30～40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
原理 图1是由 6个MOS晶体管组成的一位静态存储单元。由增强型和耗尽型 MOS晶体管T1～T4连接成双稳态电路，T5和T6组成向单元存信息或取信息的控制门。由输入地址信号经译码后而选出相应的静态存储单元。为了把存储在单元中的信号写入和读出，还必须配有一套静态读出和写入电路(读写电路)，以及功能控制电路。因此,MOS静态随机存储器在结构上主要包括存储单元阵列、地址缓冲译码器、读出和写入电路（读写电路），以及读出和写入控制电路（读写控制电路）四个部分（图2）。
地址译码按单元阵列的矩形排列，分成X和Y两个方向。Ax、Ay分别表示X和Y地址,为片选信号,为读入和写出控制信号,I/O为输入-输出端。的低电平为选中，高电平为未选(维持态)。的低电平为写入,高电平为读出。
在一个读操作周期(图3)内，为低电平(选中),为高电平（读操作）。当地址Ai输入后,被选中的单元就会在输入-输出端读出存储的数字 D0。从Ai输入到D0读出有一个响应的时间过程，这决定于读出过程中各部分电路延迟时间的总和，即图中的,称为电路的地址取数时间。越短,表示电路的速度越快。
应用 MOS静态随机存储器使用时不需要刷新,故比动态存储器使用方便，已大量应用于微处理器和其他小型数字控制设备。在使用中为了减少电路片数目，在电路结构方面一般采用多位输入-输出形式。例如,四位结构用1k×4，八位结构用2k×8。另外，为了减少管壳的引出端数，通常把输入端和输出端合并为一个端(I/O)，由读写控制器控制，按时分别执行输入(写)、输出(读)，以及维持（即不读、不写）等三种功能。
发展 微处理机技术的发展，促进了 MOS静态随机存储器的研制。同时，随着MOS工艺技术的进步,在集成度、功耗和速度等主要性能指标方面提高得很快。集成度从1k×4、2k×8已发展到8k×8。为了降低功耗,设计和工艺也得到改进。特别是采用了高阻多晶硅负载单元及CMOS单元，使每一单元的功耗下降到微瓦量级。速度的提高主要是由于MOS短沟道技术的发展,以及在读出电路中采用限摆幅等电路技术，使取数时间大大加快。例如，采用小于2微米沟道的高性能MOS静态随机存储器件，取数时间可达30～40纳秒。这样的速度已经接近双极型随机存储器的水平。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条