2) Ga_2O_3/Al_2O_3 film
Ga_2O_3/Al_2O_3膜
3) ZnO/Ga_2O_3 film
ZnO/Ga_2O_3膜
4) Gallium-Oxide
β-Ga_2O_3
1.
So, in this page we synthesized Gallium-Oxide (β-Ga_2O_3) nanobelts by thermal- evaporation method and research their photoluminescence.
本论文用热蒸发CVD法制备了一维β-Ga_2O_3纳米材料，用扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、X射线能谱仪(EDS)及光致发光(PL)等分析测试手段，对所制备的一维β-Ga_2O_3纳米材料的形貌、成分、结构以及发光性能进行了表征。
5) thin film
薄膜
1.
Effects of annealing temperature on microstructure and cohesion of ZrW_2O_8 thin films;
退火温度对ZrW_2O_8薄膜结构和结合力的影响
2.
Fabrication and low temperature sintering of GDC thin film;
氧化钆掺杂纳米氧化铈薄膜的制备与烧结性能研究
3.
Fabrication of CuS nano/micro tube thin films and CuO nano/micro crystal thin films using CuCl nanorod films as precursor;
以CuCl纳米棒薄膜为前驱体制备CuS纳米/微米管和CuO纳米/微米晶薄膜
6) membrane
[英]['membreɪn] [美]['mɛmbren]
薄膜
1.
Air filtration performance of nanofibrous membranes electrospuned with different nanofiber diameters;
电纺不同直径纳米纤维薄膜的空气过滤性能
2.
Solving the Problem of Break in Deep-drawing Work by using Plastic Membrane;
用塑料薄膜解决深拉深件的拉深破裂问题
3.
Texture feather analysis of the membrane wrinkling;
薄膜褶皱的纹理特征分析
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条