1) photoelectric detection system
光电探测系统
1.
Long-playing large-scale monitoring and small-target tracking can be implemented by the photoelectric detection system based on unmanned airship, which is particularly suited to momentous task, such as earthquake relief or flood succor.
以无人飞艇为空中载体的光电探测系统可实时对地面敏感地区进行长时间大范围监视和小目标跟踪,特别适合抗震救灾等特定重大任务。
2) photoelectric sensor system
光电探测器系统
3) Airborne EO detection system
机载光电探测系统
4) Synthetic optical-electronic System on aeroplane
机载综合光电探测系统
5) laser exploration system
激光探测系统
1.
Signal Denoising of Laser Exploration System Using Adaptive Lifting Scheme;
基于自适应提升方案的激光探测系统消噪
2.
According to echo signal characteristic of the laser exploration system,the paper adopts the adaptive lifting wavelet transform algorithm and brings forward a update filter and predictor filter design,which implements adjusted adaptively predict and update operator and strengthens the mutuality of the processing information and enhances the accuracy of systemic detective echo signal.
采用自适应提升小波方案,根据激光探测系统接收的回波信号特征,提出了一种更新滤波器和预测滤波器的设计方案,从而实现了自适应地调整预测和更新算子,增强了与处理信息的匹配,有效地提高了系统输出回波信号的峰值信噪比。
6) Laser detecting System
激光探测系统
1.
To pulse laser detecting system,when the optic path time difference with different scattering area elements is larger than the shooting laser pulse width,the back laser pulse width will be broaden,and the corresponding pulse peak power will be lower,adding to the limited receiving bandwidth,the target equivalent LCS can t be calculated using the general formula.
对于窄脉冲激光探测系统,当激光经探测目标不同散射面元散射后到达接收机的时间差大于发射激光脉冲宽度时,存在激光回波脉冲宽度展宽和相应峰值功率下降问题,加上激光接收机响应带宽的限制,由此,对探测目标的等效LCS不能简单地由一般的公式计算。
补充资料：固态光电探测器
把光功率或能量转换成电量的各种半导体器件。把光量转换成电量的固态光电探测器主要有:光敏电阻、光生伏打电池（光电池）、光电二极管和光电三极管以及由它们派生出的各种光电器件，也有利用其他效应制成的器件。
光敏电阻（光电导管） 利用内光电效应使半导体受光照后显著改变导电性能的现象制成的器件。半导体可以是有机的或无机的、结晶型的或非晶态的；可以是单晶或多晶、薄膜烧结型、真空蒸发型、化学沉淀型或夹层型等。在半导体两端镀上电极就构成光敏电阻。
在电极间施加电压后无光照时流过的电流称暗电流；光照后激发自由载流子，使流过的电流剧增，这部分电流称光电流。入射的光量和光电流(施加给定的电压)之间的关系曲线构成光敏电阻的光电特性。
根据半导体材料及其掺杂类型的不同，不同的光敏电阻对不同的光谱段敏感。在可见光区使用的主要是硫化锌、硫化镉、硒化镉及其混合多晶光敏电阻；在近红外区使用的主要有硅、锗、硫化铅、锑化铟等。在中红外和远红外区工作的光敏电阻一般均需保证低温工作条件。
光生伏打电池（光电池） 能在光的照射下产生电动势的半导体器件（见光生伏打效应）。光电池大量应用于航天器中作供电电源，并开始用作仪器或家庭供电，光电池也广泛用于光度色度仪器中。目前工业生产的大多为硅光电池，对可见和近红外光响应。
光电二极管 能在光的照射下产生电动势或光电流的半导体器件。它的结构与光电池的相同，也是半导体结型器件，但尺寸小得多。它有两种工作方式：当不加偏置电压时，在光的照射下产生和光电池相同的电动势，这称为光电池的工作方式，其短路电流和开路电压与光量有一定关系；当加反向偏置电压（P区接电源负极，N区接电源正极）后，在光的照射下出现反向光电流，其大小与照射的光量有关，这称为光电二极管工作方式。
PIN 光电二极管与一般光电二极管的区别在于在半导体的P区和N区间增加一层本征半导体Ⅰ 区，这样会增加PN结耗尽区的厚度，提高吸收光子的几率和减小结电容，从而提高探测效率和响应速度。
雪崩光电二极管的反向偏置电压接近于反向击穿电压，这时光电子能通过与原子的碰撞电离释放出更多的电子，实现电子倍增，但噪声稍大。它具有高得多的探测效率和与PIN光电二极管相近的响应速度。
光电三极管 结构与PNP或NPN半导体三极管相似,但大多没有基极引出线。光照射到集电极-基极结上,产生的光电流起着基极电流的作用，经三极管作用获得放大数倍到近百倍的集电极电流。光电三极管的探测效率比光电二极管大得多，但受结电容的影响，响应慢，只能响应几百千赫的调制光。
参考书目
R.J. Keyes, Optical and InfRared Detectors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York,1977.
光敏电阻（光电导管） 利用内光电效应使半导体受光照后显著改变导电性能的现象制成的器件。半导体可以是有机的或无机的、结晶型的或非晶态的；可以是单晶或多晶、薄膜烧结型、真空蒸发型、化学沉淀型或夹层型等。在半导体两端镀上电极就构成光敏电阻。
在电极间施加电压后无光照时流过的电流称暗电流；光照后激发自由载流子，使流过的电流剧增，这部分电流称光电流。入射的光量和光电流(施加给定的电压)之间的关系曲线构成光敏电阻的光电特性。
根据半导体材料及其掺杂类型的不同，不同的光敏电阻对不同的光谱段敏感。在可见光区使用的主要是硫化锌、硫化镉、硒化镉及其混合多晶光敏电阻；在近红外区使用的主要有硅、锗、硫化铅、锑化铟等。在中红外和远红外区工作的光敏电阻一般均需保证低温工作条件。
光生伏打电池（光电池） 能在光的照射下产生电动势的半导体器件（见光生伏打效应）。光电池大量应用于航天器中作供电电源，并开始用作仪器或家庭供电，光电池也广泛用于光度色度仪器中。目前工业生产的大多为硅光电池，对可见和近红外光响应。
光电二极管 能在光的照射下产生电动势或光电流的半导体器件。它的结构与光电池的相同，也是半导体结型器件，但尺寸小得多。它有两种工作方式：当不加偏置电压时，在光的照射下产生和光电池相同的电动势，这称为光电池的工作方式，其短路电流和开路电压与光量有一定关系；当加反向偏置电压（P区接电源负极，N区接电源正极）后，在光的照射下出现反向光电流，其大小与照射的光量有关，这称为光电二极管工作方式。
PIN 光电二极管与一般光电二极管的区别在于在半导体的P区和N区间增加一层本征半导体Ⅰ 区，这样会增加PN结耗尽区的厚度，提高吸收光子的几率和减小结电容，从而提高探测效率和响应速度。
雪崩光电二极管的反向偏置电压接近于反向击穿电压，这时光电子能通过与原子的碰撞电离释放出更多的电子，实现电子倍增，但噪声稍大。它具有高得多的探测效率和与PIN光电二极管相近的响应速度。
光电三极管 结构与PNP或NPN半导体三极管相似,但大多没有基极引出线。光照射到集电极-基极结上,产生的光电流起着基极电流的作用，经三极管作用获得放大数倍到近百倍的集电极电流。光电三极管的探测效率比光电二极管大得多，但受结电容的影响，响应慢，只能响应几百千赫的调制光。
参考书目
R.J. Keyes, Optical and InfRared Detectors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York,1977.
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