1) array laterolog
阵列侧向
1.
To understand the response of array laterolog to fracture in the fractured reservoir,based on the plane model of parallel fractures with equal space,the three-dimensional finite element method is used to simulate the responses of the high-definition array laterolog in fractured formation with different fracture parameters.
为了研究裂缝性储层裂缝的阵列侧向测井响应,采用裂缝组平板裂缝模型,利用三维有限元方法,进行不同裂缝参数条件下的高分辨率阵列侧向测井响应数值模拟。
2) array lateral logging
阵列侧向测井
1.
Forward response analysis of array lateral logging tool;
阵列侧向测井仪器的正演响应分析
2.
In simplified 2-D inhomogeneous stratum model,the numerical simulation of array lateral logging responses is carried out using FEM(Finite Element Method),and the simulation responses with different shoulder-beds,invaded zones and boreholes are studied.
阵列侧向测井能够提供RL,A0~RL,A5等6条不同探测深度的电阻率曲线,可以直观反映地层不同径向深度电阻率的变化。
3) array lateral electric-logging
阵列侧向电法测井
1.
Fast inversion for array lateral electric-logging
阵列侧向电法测井的快速反演
5) unilateral array
单向阵列
6) bilateral array
双向阵列
补充资料：阵列
分子式：
CAS号：
性质：作为一个整体呈现在硅片上或由分步重复制作在光刻材料上的全部同类功能图形。
CAS号：
性质：作为一个整体呈现在硅片上或由分步重复制作在光刻材料上的全部同类功能图形。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条