1) metal-insulator-semiconductor HEMT
金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管
2) metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistor(MOS-HEMT)
金属氧化物半导体-高电子迁移率晶体管
3) MISFET
金属-绝缘体-半导体场效应晶体管
1.
The selective etching solution is applied to the fabrication of undoped-GaAs/n-GaAs modulation-doped channel MISFET.
利用这种选择腐蚀技术制备了undoped-GaAs/n-GaAs调制掺杂沟道金属-绝缘体-半导体场效应晶体管,获得了很好的器件特性参数,证明了这种腐蚀溶液适合于器件制备中的栅挖槽工艺。
6) HEMT
高电子迁移率晶体管
1.
Ohmic Contact for InP-Based HEMTs;
磷化铟基高电子迁移率晶体管欧姆接触工艺
2.
Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy;
RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性(英文)
3.
With the development of communication technology,the gate length of HEMT becomes shorter and shorter,and the previous speed-field analytical formula can not accurately describe this change.
通过对现有的速度-场经验公式的计算机模拟仿真,发现其与实测的文献数据之间存在一定的误差,因而提出一种改进的速度-场经验公式,在线性电荷控制模型的基础上,考虑沟道长度调制效应,解析出一种新的高电子迁移率晶体管(HEMT)I-V模型。
补充资料：金属
分子式：
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
CAS号：
性质：具有特有的金属光泽以及良好导电导热性的固态或液态单质。在固态时还具有延展性。大多数元素是金属元素，其特性由元素原子结构和晶体内部结构决定：原子电负性小，吸引电子能力不大，聚集状态时电子流动性大；价层s、p电子少，常形成密堆集晶体结构，如立方面心密堆集、六方密堆集及体心立方堆砌结构。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条