1) electron multipacting effect
电子二次倍增效应
1.
The results of electron multipacting effect threshold experiments show that the polyfluorin thin film not only has good insulation capability but also possesses lower secondary electron emission yield,and the electron multipacting effect threshold is improved.
研究了卫星相控阵雷达天线系统的TR组件表面聚氟材料薄膜的制备工艺,采用射频磁控溅射法成功地在TR组件表面制备了聚氟薄膜,并对所制备的薄膜进行了电子二次倍增效应阈值试验。
2) multipactor effect
二次电子倍增效应
3) one-surface multipactor discharge
单边二次电子倍增效应
1.
According to the interaction cavity structure of high-power microwave sources(HPM),using magnetically insulated transmission line oscillator(MILO) as example,a one-surface multipactor discharge model is presented.
根据高功率微波源相互作用腔的物理结构特性,以磁绝缘传输线振荡器(MILO)为例,建立了一种单边二次电子倍增效应(mulitpactor)模型。
4) two-surface multipactor discharge
双边二次电子倍增效应
1.
Analysis of two-surface multipactor discharge
双边二次电子倍增效应分析
5) multipactor effect
次级电子倍增效应
6) secondary electron multiplier
二次电子倍增器
1.
Research on nonlinearity effect of secondary electron multiplier;
二次电子倍增器的非线性效应研究
补充资料：半导体中的雪崩倍增效应
在强电场下，半导体中的载流子会被电场加热（见半导体中的热载流子），部分载流子可以获得足够高的能量，这些载流子有可能通过碰撞把能量传递给价带上的电子，使之发生电离，从而产生电子-空穴对,这种过程称为碰撞电离。所产生的电子空穴对，在电场中向相反方向运动，又被电场加热并产生新的电子空穴对。依此方式可以使载流子大量增殖,如图1所示。这种现象称为雪崩倍增效应。
通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。电离率强烈依赖于电场，也是温度的函数（由于温度升高，点阵散射增强，倾向于阻碍对载流子的加热，通常电离率随温度的升高而下降）。电子和空穴一般具有不同的电离率。图2给出了室温下由实验测量得到的几种半导体中电子电离率αn和空穴电离率αp随电场强度的变化。电离率通常可用下列经验公式表示α＝A,式中ε为电场强度，A、b和m为常数。
半导体中的雪崩效应是引起PN结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结，其空间电荷区内有很强的电场。在反向偏压足够高，空间电荷区内电场足够强时，热生载流子在通过强电场区时会产生雪崩倍增效应。于是反向电流会随反向电压迅速增加，这种现象称为雪崩击穿。对于硅、锗的PN结,当击穿电压大于6Eg/q时（Eg是禁带宽度，q是电子电荷），击穿由雪崩效应引起,而当击穿电压小于4Eg/q时,击穿由另一种效应,即隧道效应所引起。
在雪崩机制中，电流的倍增不仅决定于电离率的大小（或与之相联系的电场强度），而且决定于能有效产生碰撞电离的空间电荷区的宽度。雪崩击穿电压通常随温度的上升而增加。
当PN结发生雪崩击穿时，通常伴随着发光现象，所发射光子的能量可以显著地超过禁带能量。
如果在金属－绝缘体－半导体系统的栅上施加高的脉冲电压（例如对由P型半导体所构成的MIS结构施加正栅压）也会在半导体表面产生雪崩效应。这时半导体表面层呈深耗尽状态。在表面电场足够高时，在耗尽层中流动的热生载流子会产生雪崩倍增效应。
对于包含PN结的半导体器件，一般说来，雪崩倍增效应是个限制性因素。但也可以利用此效应来制作某些器件,如碰撞雪崩渡越二极管及雪崩注入MOS非易失性存储元件。
通常用电离率来描述碰撞电离效应的强弱。它定义为一个载流子通过单位距离平均所产生的电子空穴对的数目。电离率强烈依赖于电场，也是温度的函数（由于温度升高，点阵散射增强，倾向于阻碍对载流子的加热，通常电离率随温度的升高而下降）。电子和空穴一般具有不同的电离率。图2给出了室温下由实验测量得到的几种半导体中电子电离率αn和空穴电离率αp随电场强度的变化。电离率通常可用下列经验公式表示α＝A,式中ε为电场强度，A、b和m为常数。
半导体中的雪崩效应是引起PN结击穿的一种机制。加反向偏压的PN结，其空间电荷区内有很强的电场。在反向偏压足够高，空间电荷区内电场足够强时，热生载流子在通过强电场区时会产生雪崩倍增效应。于是反向电流会随反向电压迅速增加，这种现象称为雪崩击穿。对于硅、锗的PN结,当击穿电压大于6Eg/q时（Eg是禁带宽度，q是电子电荷），击穿由雪崩效应引起,而当击穿电压小于4Eg/q时,击穿由另一种效应,即隧道效应所引起。
在雪崩机制中，电流的倍增不仅决定于电离率的大小（或与之相联系的电场强度），而且决定于能有效产生碰撞电离的空间电荷区的宽度。雪崩击穿电压通常随温度的上升而增加。
当PN结发生雪崩击穿时，通常伴随着发光现象，所发射光子的能量可以显著地超过禁带能量。
如果在金属－绝缘体－半导体系统的栅上施加高的脉冲电压（例如对由P型半导体所构成的MIS结构施加正栅压）也会在半导体表面产生雪崩效应。这时半导体表面层呈深耗尽状态。在表面电场足够高时，在耗尽层中流动的热生载流子会产生雪崩倍增效应。
对于包含PN结的半导体器件，一般说来，雪崩倍增效应是个限制性因素。但也可以利用此效应来制作某些器件,如碰撞雪崩渡越二极管及雪崩注入MOS非易失性存储元件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条