1) non-linear Raman threshold
拉曼非线性阈值
1.
The results show that the air filling factor of PCF does not remarkably affect the output power,pump threshold power and slope efficiency,but markedly influence the non-linear Raman threshold of PCF laser.
结果表明:虽然空气占空比大小对PCF激光器的输出功率、泵浦阈值和斜率效率等影响不显著,但对拉曼非线性阈值影响却很大。
2) nonlinear threshold
非线性阈值
1.
Density amplitude is defined relating to instable interface and formulas of nonlinear threshold values for RT instability in three kinds of geometries are given, then high\|order algorithm is used to simulate two dimensional RT instability in these geometries, and the simulation results agree well with the formulas.
由此得到了三种几何中密度扰动的非线性阈值公式 ,用高精度流体程序对三种几何中的不稳定性进行了数值模拟 ,验证了得到的非线性阈值公
2.
The nonlinear threshold phenomenon is also analyzed.
利用该理论,分析了KH不稳定的非线性阈值问题。
3) non-linear soft thresholding
非线性软阈值
1.
To resolve the problem of bad image quality because of sudden signal changes during the process of traditional hard and soft thresholding, this paper presents an improved soft thresholding method named non-linear soft thresholding, and this method highly improves the quality of compressed images.
针对传统硬阈值和软阈值化过程中因信号锐变导致图像质量变差的问题,本文对小波压缩中的软阈值算法进行了改进,提出了非线性软阈值压缩算法,使得图像压缩质量有了较大提高。
4) nonlinear DWT thresh old
非线性子波阈值
5) nonlinear threshold decomposition
非线性阈值分解
6) nonlinear Raman effect
非线性拉曼效应
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条