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1)  N channel power MOSFET
N沟道增强型场效应管
1.
This article base on H-bridge PWM control theory,with the core of N channel power MOSFET,make use of optoelectronic isolator design a high-power driver circuit for DC motor,the circuit could meet with the need of reverse rotation and speed regulation for DC motor.
N沟道增强型场效应管为核心,基于H桥PWM控制原理,利用光电隔离器设计了一种大功率直流电机驱动控制电路,该电路能够很好地满足直流电机正反转控制和调速的需要。
2)  n channel fet
n沟道场效应晶体管
3)  n channel junction fet
n沟道结型场效应晶体管
4)  enhancement-mode FET
增强型场效应晶体管
5)  multichannel field-effect transistor
多沟道场效应管
6)  enhancement channel
增强型沟道
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8

性质:暂无

制备方法:暂无

用途:用于轻、中度原发性高血压。

说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条