2) nonlinear noise reduction
非线性降噪
1.
The searching average nonlinear noise reduction method, which is based on local linear fit to the nonlinear dynamics, is introduced to reduce the noise in the observation data of climatology.
介绍了一种新型基于相空间重构和返回图法的非线性降噪方法——搜索平均法,首先将该方法应用于被高斯白噪声所污染的Henon映射时间序列,说明根据降噪理论所编写的计算程序的正确性;然后应用于中国气象局公布全国435站1960—2000年的逐日气温观测时间序列,并利用非线性预报方法衡量降噪的效果,验证了该方法的有效性。
2.
Local projective nonlinear noise reduction method,which is based on locally linear fits to the nonlinear dynamics,is introduced to reduce the noise in electrocorticograms of Spragure-Dawley rats.
引入基于对非线性动力学局部线性拟合的局部投影非线性降噪方法对Spragure Dawley大鼠的皮层脑电进行降噪 。
3) Non-linear de-noising
非线性子波降噪
4) Noise reduction
降噪
1.
Research on Noise Reduction of Water-blown Rigid PU Foam;
全水发泡聚氨酯硬质泡沫降噪性能的研究
2.
Noise source of digital image and analysis of noise reduction method;
数码照片的噪点与降噪方法
3.
Study on noise reduction in singular value decomposition based on structural risk minimization;
基于结构风险最小化原则的奇异值分解降噪研究
5) De-noising
降噪
1.
Studies on Wavelet De-noising of Shearography Image for Airplane Composites;
复合材料剪切散斑检测图像的小波降噪技术研究
2.
De-noising Study Based on Green Manufacturing in Stock-removing Machine-shop System;
基于绿色制造的切削机床-车间系统降噪研究
3.
Application of support vector machine in de-noising lateral displacement curve of pit;
支持向量机在基坑位移监测曲线降噪中的应用
6) Denoising
降噪
1.
Second Generation Wavelet denoising and its Application in Fault Diagnosis;
第二代小波降噪法在故障诊断中的应用
2.
Signal Denoising Based on Local-wave Decomposing Method;
基于局域波分解的信号降噪算法
3.
Application of Wavelet Denoising to Radiographic Image Processing;
小波降噪在射线图像处理中的应用
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条