1) doping Fe3+
铁元素掺杂
2) element doping
元素掺杂
1.
The effects on the critical current density(J_c) of MgB_2 superconductor are summarized from preparation techniques, element doping and physical field, respectively.
临界电流是超导体载流能力大小的重要表征,论述了制备工艺、元素掺杂和物理场对MgB2超导体临界电流密度的影响。
2.
The research of modifying the electrochemical properties of nickel-containing cathode materials by element doping in recent years were reviewed.
综述了近年来通过元素掺杂改善镍系正极材料电化学性能的研究成果。
3) Doping element
掺杂元素
1.
The effects of apparent appearance, doping elements and microscopic structure of Ni(OH)_2 samples on their charge-discharge performances were discussed.
用 XRD和 Raman光谱等方法对几种典型球形 Ni( OH) 2 电极材料进行了表征 ,并分析了材料的表观形貌、掺杂元素和微观结构等对其充放电性能的影响 。
4) doping
[英][dəup] [美][dop]
元素掺杂
1.
Doping of LiMn_2O_4 Spinel Battery Materials;
尖晶石型LiMn_2O_4电池材料的元素掺杂
5) doped element
掺杂元素
1.
The effects of the calcinations process and doped elements on the electrical performancesand the particle morphology of La2Ni0.
5O4+δ(M=Co,Cu)粉料的煅烧工艺条件和掺杂元素对电性能的影响以及粉料的颗粒形貌。
2.
Effects of the sintering systems and doped elements on the electrical properties and the structure of La2Ni0.
用XRD和传统直流四极探针电导测试法研究了烧结制度和不同掺杂元素对固相反应所合成的La_2Ni_(0。
补充资料：半导体材料掺杂
半导体材料掺杂
doping for semiconductor material
bondootl Col}{00 ehonzo半导体材料掺杂(doping for semiconduCtormaterial)对材料掺入特定的杂质以取得预期的物理性能与参数的半导体材料制备方法，在大多数情况下，是使用掺杂后的半导体材料进行器件制备。掺杂的具体目的有:(l)获得预期的导电类型，如p型掺杂或n型(见半导体材料导电机理)掺杂;(2)获得预期的电阻率、载流子浓度(见半导体材料导电机理)，如重掺单晶(见简并半导体)、半绝缘砷化稼的制备;(3)获得低的少子寿命(见半导体材料导电机理)，如锗中掺金;(4)获得晶体的良好力学性能，如硅中掺氮;(5)提高发光效率，改变发光波长，如磷化稼中掺氮、掺氧(见发光用半导体材料);(6)形成低维材料及超晶格(见半导体超晶格);(7)调整晶格匹配，如硅中掺锡。 对掺杂的要求主要是:精度、均匀性、分布空间。掺杂的方法有熔体掺杂、气相掺杂、中子擅变掺杂、离子注入掺杂、表面涂覆掺杂(见区熔硅单晶)。掺杂是在半导体材料制备过程的某一个或几个工序中进行，大多数是在单晶拉制过程中进行掺杂，薄膜材料则在薄膜制备过程中进行掺杂，而中子擅变掺杂、离子注入掺杂则离开晶体制备而成为独立的工序。 (万群)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条