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1)  charge carrier multiplier structure
电荷载流子倍增结构
2)  charge multiplication
电荷倍增
1.
A charge multiplication model of charge carrier multiplier(CCM)in electron-multiplication charge-couple-device(EMCCD)was proposed.
建立了电子倍增CCD的载流子倍增寄存器的电荷倍增模型,分析了电子倍增CCD的结构特征和载流子倍增寄存器的工作原理及其电荷倍增特性。
2.
A model describes both of charge lose and charge multiplication when charge delivering in CCM based on Z transform,which relates to the architecture of EMCCD and the theory of CCM that using impact ionization to multiply photo-generated charge was proposed here.
分析了EMCCD的结构特征及载流子倍增寄存器利用碰撞电离实现电荷倍增的原理,建立了一种基于离散系统Z域变换的CCM电荷传输模型。
3)  current multiplication coeffcient
电流倍增因子
4)  electron multiplying charge-coupled device
电子倍增电荷耦合器件
1.
The output probability distribution of charge carrier multiplier(CCM) structure from the electron multiplying charge-coupled device(EMCCD) and its influence on image uniformity are studied.
为了研究电子倍增电荷耦合器件(EMCCD)中电荷载流子倍增(CCM)结构的输出概率分布及其对图像均匀性的影响,建立了EMCCD中CCM结构的概率模型,利用概率生成函数(PGF)推导了多级CCM倍增结构的输出概率密度函数(PDF),讨论了PDF在提高图像均匀性中的应用。
5)  current multiplication
电流倍增
6)  electron multiplying
电子倍增
1.
The developments of Si microchannel plates for electron multiplying;
硅微通道板电子倍增器的研制
补充资料:DCME(数字电路倍增设备)
DCME(数字电路倍增设备)

——DCME是英文DigitalCircuitMultiplicationEquipment的缩写,即数字电路倍增设备,也有翻译成数字话路倍增设备的。1998年CCITT的建议G.763中把DCME定义为“允许将一定数量的64kbit/sPCM编码的干线信道集中在更少的传输信道中传输的一类设备。”

——在DCME中主要是通过采用数字话音插空技术(DSI)、自适应差分脉冲编码调制(ADPCM)和可变速率编码技术(VBR)来实现信息的压缩,即采用DSI技术来利用话音的间歇,采用ADPCM来降低话音的编码速率,采用VBR来克服传输中的超载情况(在信道超载时,对话音采用3bit的ADPCM来代替4bit的ADPCM)。

——DCME的优劣用电路倍增增益来表示。DCME的电路倍增增益定义为输入到DCME的输入信道数比上DCME的输出信道数。倍增增益越大,信道利用率越高。但倍增增益也不能太大,否则要影响业务的通信质量。目前,DCME的倍增增益一般在4~5倍左右,个别的据报道可达到10倍以上。
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参考词条