1) Graphics to Transform
图形转化
2) pattern transfer
图形转移
1.
The fidelity pattern transfer of mask and substrate were analyzed with the etching depth.
给出了离子能量、离子束流密度和离子束入射角等因素与刻蚀速率的关系曲线,用最小二乘法拟合了上述因素与刻蚀斜率的函数关系方程;分析了光刻胶和基片在刻蚀过程中随刻蚀深度的变化对图形转移精度的影响,用AFM的Tapping模式测量了刻蚀前后HfO2薄膜表面质量的变化。
2.
In the thesis, the method and principle of getting electro deposition (ED) photoresist has been introduced, together with the technology of pattern transfer.
随着高密度互连(HDI)技术的发展,IC封装密度的提高,高解析度(分辨率)、均一性良好的超薄感光抗蚀膜成为必然需求,文中介绍了电沉积技术(ED)成膜的方法、原理以及相应的图形转移技术,并与传统干膜、旋涂成膜工艺进行对比,结果表明ED膜具有良好的粘附力、很高解析度以及精确的图形精度。
3.
The factors which affict the pattern transfer process are discussed.
用二次阳极氧化方法制备出分立、双向贯通并且超薄(500—1000 nm)的多孔阳极氧化铝膜,贴合到硅片上进行干法刻蚀,实现图形转移,得到了硅基纳米孔阵列结构,并对工艺中影响图形转移质量的因素进行了探索。
3) reverse-pattern
图形反转
1.
The paper discussed the reverse-pattern photolithography technology that is suitable for lift-off technology in manufacturing of solar cells with thick metal contact.
为了实现真空蒸镀直接剥离7 mm金属层的目的,开发了图形反转双层光刻胶金属剥离技术。
4) mapping transform
图形转换
1.
Based on it,a mapping transform method between ej map and gj map is proposed.
介绍了逻辑函数的XOS展开式和COD展开式及其图形表示,讨论了逻辑函数ej系数和gj系数间的关系,以此为基础提出了ej图和gj图之间的图形转换方法,并举例说明转换过程。
2.
Based on the research of OR-coincidence algebraic system, and the relation between dj cofficients and bj coefficients, a mapping transform method between bj map and dj map is proposed.
在研究或、符合代数系统的基础上,本文根据逻辑函数bj系数和dj系数的关系,提出了bj图和dj 图之间的图形转换方法,并举例说明转换过程。
补充资料：图形
图形
figure
图形【匈此:枷rypal 具有基本群G的齐性空间E”的一个子集F，它能包括在此空间的一个子集系统R(F)之中，而R(F)同构于几何对象中的某个空间(见几何对象理论(脚此tricobj眺，山印ryof)). R(F)称为F的甲形宇卿汤乎此sPaCe)·。的分量称为相配图形F的半标(叨司云以此).E”中的每个图形F对应于一类相似的几何对象{小}.{小}中的一个几何对象中的秩、亏格、特征及型称为图形F的攀(m泳)、季挣(g日山t)、特俘(cha.cte由tic)及犁(tyPe)(所谓甲形的算水不变量(面thlnetic in锥riantsof此fiqure)，见【2]).例如，三维Euclid空间中一个圆乃是一个秩为6，亏格为1，特征为1及型1的图形;三维射影空间中一点是一个秩为3，亏格为0，特征为2及型1的图形.定义几何对象小的完全可积Pfalr方程组称为F的平稳方程组(statio班币tys岁tonof闪uatlons). 设F和厂为尸中两个图形.如果存在R(F)到R(厂)上的映射，使得在此映射下每一个与厂相应的几何对象被每一个相应于F的几何对象所覆盖，则称F琴善或粤括了F(F称为被F覆盖或包括).秩为N的图形F称为简单的(s而Ple)，如果它不覆盖任何其他的低秩图形F称为指标等于凡
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参考词条