1) charge transport property
载流子迁移特性
2) carrier mobility
载流子迁移率
1.
The oriented intensity of(0 0 l) is more strong,the carrier mobility of the film is more great.
合成了一种新的有机无机层状类钙钛矿(RNH3)2CuX4半导体薄膜,通过研究发现该薄膜的载流子迁移率的大小与有机组元的选择有关,有机组元的选择决定了产物在(00 2l)上的择优取向度,而薄膜在(00 2l)取向性越高,其载流子迁移率越大,该体系目前载流子迁移率达到了0。
2.
Threshold voltage can be changed into digital-output thiough utilizing the variety between the threshold voltage of a MOS transistor and carrier mobility vs temperature.
设计一种与CMOS工艺完全兼容的集成温度传感器,依据阈值电压和载流子迁移率随温度的变化关系,将阈值电压差微小变化转换成频率,输出数字型温度检测结果,电路结构简单、能够自启动。
3) High carrier mobility
高载流子迁移率
4) carrier transport property
载流子迁移能力
5) carrier mobility
载流子平均漂移速度，载流子迁移率
6) transfer characteristic
迁移特性
1.
Study on the transfer characteristics of heavy metals in dyestuff-residue during incineration;
染料残渣焚烧中重金属的迁移特性研究状况
补充资料：载流子
载流子
carrier
P型半导体中多子浓度勿及少子浓度nP分别为(3)上二式中ND为施主杂质浓度，cm一“;NA为受主杂质浓度，cm一3。 如果对半导体施加外界作用(如用光的或电的方法)，破坏了热平衡条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡空穴称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在半导体器件中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。201}IUZI载流子(carrier)在半导体中载运电流的带电粒子—电子和空穴，又称自由载流子。在一定温度下，半导体处于热平衡状态，半导体中的导电电子浓度n0和空穴浓度P0都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子。 在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时热平衡载流子浓度为 no一P。~执 尸/m:m:、备_。/E，、_、 =4 .82火10‘ 51二二匕尹七匕)T万exP{一;开朱{(l) -一‘’‘一(m若/--一厂(ZkTj、一‘式中、。为电子质量，kg;m言为电子有效质量，kg;。了为空穴有效质量，kg沃为玻耳兹曼常数，J/K;E:为禁带宽度，eV;n、为本征载流子浓度，cm一”;T为绝对温度，K。 对于杂质半导体，N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子(简称多子)，而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子(简称少子)。在强电离的情况下，N型半导体中多子浓度、及少子浓度丸分别为(2)、|七卜l|坑二凡一一一一
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参考词条