1) resistance capacitance differential circuit
电阻电容微分电路
2) RC circuit,resistance capacitance (RC) circuit,resistance-capacitance circuit(RC circuit)
阻容电路
3) resistance capacitance integral circuit
电阻电容积分电路
4) RC differentiator
阻容差分电路
5) differential capacitance
微分电容
1.
The polarization, differential capacitance, flattening capability and reaction resistance of BH 51 zinc plating additive and its main components were all studied.
对BH 51氯化钾镀锌添加剂及其主要成分的极化性能、微分电容、整平性、反应电阻等进行了初步研究 ,结果表明 ,氯化钾镀锌添加剂可明显加大阴极极化 ,对镀层具有整平性。
2.
After treated the surface of NiNb2O6 photoelectrode by mechanical polishing +chemical etching + photoetching, the stable values of the differential capacitance of the spacecharge layer are measured,the relationship between flatband potential Vfb and pH value of the electrolyte is obtained,and the value of Vfb is compared with its theoretical calculating value.
对电极进行机械抛光加化学抛光加光抛光处理后，测得了NiNb2O6半导体光电极空间电荷层的微分电容的稳定值，得到了平带电势Vfb与电解液pH值间的关系，并与Vfb的理论计算值进行了比较。
3.
measure the differential capacitance(△Cd)of cassiterite-carbon paste.
２（ｋＪ／ｍｏｌ）；又用锡石和炭粉制得含锡石８０％、炭粉２０％的锡石－炭糊电极，在不同温度下测得该电极吸附辛基羟肟酸前后的微分电容变化量（△Ｃｅｄ），从而作得图，从图中求出该电极吸附辛基羟肟酸的吸附热△Ｈ＝一４０。
6) differential capacity
微分电容
1.
The effect of additive AQ on the electrodepositing process of Cu~(2+) was studied by dynamic potential scanning of rota ting disc electrode, AC impedance and differential capacity, and the electrodepositing mechanism of copper was confirmed.
为了有效地研究添加剂对铜电沉积的影响,选择合成了有机染料酸性镀铜添加剂AQ,用旋转圆盘电极动电位扫描、交流阻抗和微分电容等方法研究其对铜离子电沉积过程的影响,得到了铜的电沉积机理。
补充资料：等容热容
分子式：
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条