1) laser beam induced current (LBIC)
激光束诱导电流
1.
The standard diffusion length (L_p) test procedure is apt to damage the p-n junction, so we often use characteristic decay length (L) obtained by laser beam induced current (LBIC) instead of L_p.
由于得到HgCdTe扩散长度Lp的标准测试结构会损伤p-n结单元,实验中广泛采用激光束诱导电流(LBIC)提取的等效扩散长度L来代替Lp。
2) laser beam induced current
激光束诱导电流谱
1.
A measurement system of laser beam induced current(LBIC) with high spatial-resolution and without requiring any direct electrical contact to the unit is presented.
高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段成功用于表征HgCdTe光伏型红外探测器单元,获得了HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,为HgCdTe器件的优化设计提供参考依据。
2.
A measurement system of laser beam induced current (LBIC) with high spatial-resolution and without requiring any direct electrical contact is presented.
通过高分辨率、非直接接触的激光束诱导电流谱表征手段获取 HgCdTe光伏型器件单元的几何结构信息,结果表明离子注入形成的n型区域的面积明显大于离子实际注入的区域面积。
3) OBIRCH
激光束诱导电阻值变化
1.
13 μm in early scale production,using electrical and physical failure analysis methods of OBIRCH(optical beam induced resistance change),VC(contrast voltage),SEM and FIB,it was conformed that the MOS device physics defect caused by ion implantation deviation is the main reason for IDDQ failure.
13μm某种DSP芯片在量产初期所遇到的IDDQ测试失效情况,利用激光束诱导电阻值变化(OBIRCH)、电压对比(VC)、扫描电镜(SEM)和聚焦离子束(FIB)等电学与物理失效分析方法,确定由离子注入偏差所引起的MOS器件物理缺陷是造成IDDQ失效的原因,据此进行了离子注入光阻的工艺改进,最终实现了成品率的提升。
4) LBIC technique
激光诱导电流技术
1.
The crosstalk and photoactive area of neighbor mesa InGaAs detectors are studied by LBIC technique.
利用激光诱导电流技术研究了InGaAs台面探测器的相邻探测器间的串音和光敏感区。
5) Laser guiding discharge
激光诱导放电
6) laser-induced electric breakdown
激光诱导电击穿
补充资料：电子束诱导电流
电子束诱导电流
electron beam induced current method
电子束诱导电流eleetron beam induced eurrentmethod高能电子束照射到有势垒的半导体上所产生的电流。电子束诱导电流的形成过程是:当高能电子束与半导体相互作用时，由于碰撞电离，在轰击区会产生大量的电子一空穴对;在势垒区两边一个扩散长度内的电子或空穴就能扩散到势垒区而被势垒电场所分开，在外电路上输出一个比电子束流大得多的诱导电流。电子束诱导电流图象是扫描电子显微镜的一个重要工作模式，它的主要应用有:①PN结性能的研究与鉴定;②半导体中的原生缺陷与二次缺陷的观察与研究;③半导体器件与集成电路的失效分析;④微区域半导体材料特性参数，如扩散长度、少子寿命以及深能级等的测量与分析。(李成基)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条