1) GammaART-6000TM asymmetric Rotation Gamma System
GAMMAART-6000TM非对称性旋转伽玛系统
1.
The American GammaART-6000TM asymmetric Rotation Gamma System adopts the IMRT technology by utilization of asymmetric sources distribution,automatic patient positioning system (APS),treatment planning system (TPS) and QA system,which represents the new trends of stereotactic radiation surgery.
美国GAMMAART-6000TM非对称性旋转伽玛系统就从放射源的非对称分布设计、自动病人定位系统(APS)、治疗计划系统(TPS)以及QA系统方面将调强放疗技术有机的结合在了伽玛刀技术中,从而代表了立体定向放射外科技术的最新发展。
2) axi asymmetric system
非旋转对称系统
3) rotationally asymmetric
非旋转对称
1.
In order to approach practical situation and to provide more possibility for sound absorbent structure choice, finite element models are build for several rotationally asymmetric sound absorbent structures, and numerical simulatio.
(2)通过数值方法研究了吸声结构内腔为圆柱腔和圆锥腔、基材的剖面形状为正四边形和正六边形、不同背衬、基材材料特性、尺寸大小对整体吸声效果的影响,总结了这些情况下非旋转对称吸声结构的声学特性变化规律,得出腔体体积越大,吸声系数最低共振频率越低;穿孔率越大,吸声系数越大的结论。
4) nonsymmetric linear systems
非对称线性系统
5) rotation symmetry
旋转对称性
1.
Brillouin scattering for hexagonal system has arbitrary rotation symmetry about the 6 fold axis of the system.
指出六方晶系Ｂｒｉｌｏｕｉｎ散射具有围绕晶体六次轴的任意旋转对称性，给出该晶系含体积元转动贡献的散射张量的简洁形式，讨论了压电效应对这种旋转对称性的影响。
2.
A new demonstration method on the lattice rotation symmetry using a single axis is proposed.
传统的晶格旋转对称性的双转轴证明方法不满足旋转对称操作至少要保持一点不动的要求。
6) rotationally symmetrical electron optic system
旋转对称电子光学系统
1.
In this paper experessions of the 9th order geometrical aberrations of rotationally symmetrical electron optic system are given by using the eikonal method when the electric and magnetic fields exit.
本文应用光程函数法推导出旋转对称电子光学系统九级几何像差公式。
2.
The 7th order geometrical aberration of rotationally symmetrical electron optic system and their expressions are given by using the eikonal method when the electric and magnetic fields exit.
应用光程函数法计算出旋转对称电子光学系统的７级几何像差，给出旋转对称电磁场同时存在情况下的系统７级几何像差表示式。
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条