1) turbostratic and grapheme
乱层石墨与单层石墨
2) Multilayer graphite
乱层石墨
3) graphene
单层石墨
1.
Electronic Structures of Graphene and Multilayer Graphene
单层石墨和多层石墨的电子能带结构
2.
The first principles method based on the local density functional theory has been used to investigate the two kinds generalized stacking fault energy of zigzag single-walled carbon nanotubes with different radius and graphene.
基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了两种不同半径的锯齿型单壁碳纳米管以及单层石墨的广义层错能曲线。
4) graphene
单层石墨片
1.
Effect of the spectral function of quasiparticle on minimal conductivity of graphene;
准粒子谱函数对单层石墨片最小电导率的影响
5) graphite microcrystal
乱层石墨微晶
6) turbostratic structure
乱层石墨结构
1.
Using boric acid and sucrose as raw materials, a boron carbideprecursor with turbostratic structure has been prepared by a chemicalcombination pyrolysis method.
以硼酸和蔗糖为原料,采用化合热解方法制备了乱层石墨结构的硼碳前驱物,分别对前驱物和前驱物与触媒的混合物进行了高温高压处理,采用XRD、EDS、SEM、TEM、EELS等检测手段,对前驱物及高温高压处理所得产物的结构、成分、表面形貌、价键状态等进行了分析。
2.
Using melamine (C3H6N6) as raw material, a kind of carbon nitride precursor with turbostratic structure has been prepared， then treated by pulse discharge.
以三聚氰胺（C3H6N6）为原料，采用多次热解的方法制备了一种乱层石墨结构的碳氮前驱物；并对该前驱物进行了脉冲放电处理，研究了电流密度、压力和处理时间对所得产物结构和成分方面的影响；采用元素分析、EDX、XRD、SEM、TEM、SAED、FTIR、TG检测手段，分析了前驱物以及脉冲放电产物的成分、结构、价键状态、热稳定性等方面的特性。
补充资料：韦后之乱
| 韦后之乱 中国唐中宗皇后韦氏的专权乱政。韦氏（？～710），京兆万年(今陕西长安)人。弘道元年(683)中宗即位，次年，立为皇后。同年，中宗被武则天废黜，迁于房州（今湖北房县），韦氏随行。神龙元年(705)，中宗复位。每临朝，韦后即置幔坐殿上，预闻政事。中宗任用曾为武则天掌文书的昭容(宫中女官)上官婉儿主持撰述诏令，以武三思为相。当时朝中形成一个以韦氏为首的武、韦专政集团。武三思通过韦后及其爱女安乐公主，诬陷并迫害拥戴中宗复位的张柬之、敬晖等功臣。中宗对揭发武、韦丑行的人处以极刑，武三思因而权倾人主，作威作福 。中宗的太子李重俊非韦氏所生，遭到韦后厌恶；安乐公主与其夫武崇训(武三思子)经常侮辱重俊。重俊于神龙三年七月发动部分羽林军杀死武三思与武崇训，谋诛韦后、安乐公主，因相从的羽林军倒戈，政变失败，重俊被杀。武、韦集团权势依旧不减。此时内地水旱为灾，户口逃散，民不聊生。中宗却与韦后恣为淫乐，不理朝政，还处死上书告发韦氏乱政的人。据说，景龙四年（710）韦氏恐其丑行暴露，安乐公主欲韦氏临朝，自为皇太女，遂合谋毒死中宗。韦后临朝摄政，立李重茂为帝，史称少帝。韦后又任用韦氏子弟统领南北衙军队，并欲效法武则天，自居帝位。临淄王李隆基（后来的唐玄宗）与太平公主（武则天女）发动禁军攻入宫城，杀韦后、安乐公主、上官婉儿及诸韦子弟，迫少帝让位，立相王李旦(李隆基父)为帝，是为睿宗。韦后之乱，终告结束。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条