2) compound alternate mutagenesis
复合交替诱变
3) Time Multiplexed Deep Etching (TMDE)
交替复合深刻蚀
1.
Through the following research, including the patterning process of mask, the selectivity of mask materials for silicon, the deposition process of passivation layer and the process of silicon anisotropic etching in Time Multiplexed Deep Etching (TMDE), the through-silicon via hole has been achieved.
本文采用中科院微电子研究中心ICP-98A高密度等离子体刻蚀机,研究了不同工艺参数对硅刻蚀速率的影响,获得较好的硅快速刻蚀工艺;通过对掩蔽层图形化的工艺、掩蔽层材料对硅的刻蚀选择比、交替复合深刻蚀技术中的单步保护层淀积工艺以及硅的各向异性刻蚀工艺等研究,实现了硅基通孔结构。
6) External airlift alternant loop complex bio-filter
气提升交替流复合滤池
补充资料：交替
交替
alternative
交赞!目teltl.d粉;~p皿稍.a]，对策论中的 对策过程中的一个位置，按照对策的法则，可能在某个移步中从一个给定的位置上转移到该位置.对应的移步或刻画移步的指标也称为交替.
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参考词条