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1)  Pb1-xGexTe thin film
Pb1-xGexTe薄膜
1.
The influences of different polishing methods(mechanical,chemical etching method or chemical/mechanical) on the characteristics of Pb1-xGexTe thin films deposited on Si substrate were studied.
研究了不同的抛光方法(机械抛光、化学腐蚀及化学机械抛光)对硅基板上沉积的Pb1-xGexTe薄膜性能的影响。
2)  Pb_(1-x)Ge_xTe
Pb1-xGexTe
1.
Improving low-temperature performance of infrared optical coatings utilizing the abnormal refractive index of Pb_(1-x)Ge_xTe;
经研究表明IV-VI族半导体PbTe和GeTe的赝二元合金Pb1-xGexTe在铁电相变点具有折射率异常—相应于铁电相变,Pb1-xGexTe薄膜呈现出最大折射率值。
3)  Pb 1-x Ge xTe
Pb1-xGexTe材料
4)  (Pb1-xSrx)TiO3 thin films
(Pb1-xSrx)TiO3薄膜
5)  (Pb1–xSrx)TiO3 thin films
(Pb1–xSrx)TiO3薄膜
6)  Pb1-xMnxSe epitaxial films
Pb1-xMnxTe外延薄膜
补充资料:PB
分子式:
CAS号:

性质: 由1-丁烯均聚或与少量其他α-烯烃共聚而成的一种热塑性树脂。结晶度50%~55%,密度0.91~0.915g/cm3。拉伸强度28~32MPa,悬臂梁缺口冲击不断,邵氏硬度D32~55。脆化温度<-187℃,维卡软化点113~121℃。有突出的耐环境应力开裂性,而且抗蠕变性、耐磨性、耐化学药品性、耐热性好,可在-30~100℃下长期使用。可采用齐格勒-纳塔催化剂,经浆液聚合、本体聚合或气相聚合制得。在加工成制品时存在晶形转变问题。在室温和常压下,大约5~7天后才逐渐由不稳定的II型晶态转变成稳定的I型晶态。主要用于热水管、工业用管、气体管等,用以代替铜管或铝管,也用于薄膜,板材、容器、密封件、单丝等。

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