2) metal defect
金属缺陷
1.
Microcomputer application in the analyzing of metal rupture and metal defect—The research of MFAS V1.0 and MFAS V1.0 software;
微机在金属断口与金属缺陷分析中的应用——MFAS V1.0和MDAS V1.0软件的研制
3) inclusions (metallic defects) / elastic field
夹杂(金属缺陷)/弹性场
4) metal pits defect
金属点缺陷
1.
In semiconductor manufacture, metal pits defect always exists in Al film, which badly degrades HD (High Definition) LCOS (Liquid Crystal On Silicon) surface flatness and reflectivity, impacts backend assembly testing yield, and induces reliability issue.
金属点缺陷普遍存在于半导体制造业所采用的金属铝薄膜中。
5) the lacunas of metallic object
金属体缺陷
1.
Base on experiments,the lacunas of metallic object can be effectively and exactly judged by this system.
通过对TIG焊快速制造原理及金属体缺陷的分析,根据含有缺陷的焊缝图像的特点,提出一种与传统焊接传感系统传感对象不同的金属体缺陷定位传感系统,并详细介绍了系统组成、工作流程及缺陷判决算法。
补充资料：缺陷
分子式：
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
CAS号：
性质：晶体中存在的各种各样的缺陷。通常将缺陷分为点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷。在考察材料的机械性能时，线缺陷、面缺陷和体缺陷是非常重要的。点缺陷对材料的功能性质具有关键性的影响，因而是固体化学和物理所最关心的一类缺陷。晶体中的点缺陷主要有：空位缺陷、间隙缺陷、杂质缺陷等。M格位上的空位缺陷常用VM表示，其中V表示空位，是英文vacancy的简称；处在间隙位置上的M原子所形成的间隙缺陷常用Mi表示，其中M是元素符号，i表示原子处于间隙格位，是英文interstitial的简称；处在M格位上的取代原子R形成的杂质缺陷是MR表示。晶体中的点缺陷常带有电荷，点缺陷的有效电荷等于缺陷位置的实际电荷减去理想晶体相应格位上的电荷，有效电荷用缺陷符号右上角的·，′和×分别表示带有正、负电荷和不带有效电荷。例如氯化银晶体中的间隙离子带一个正电荷，在完美晶体中间隙格位的电荷为零，银离子间隙缺陷的有效电荷是+1，用右上角的一个·表示，这种缺陷表示成Agi·。又如氯化钠中的氯离子空位上的电荷为零，而正常格位上的氯离子的电荷为-1，因而氯离子空位缺陷的有效电荷是+1，表示成VCl·。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条