1) gradual temperature control
渐变温度控制
1.
To decrease the dislocation density and prevent Ge island from forming,a patternepitaxial technology with gradual temperature control has been developed for fabricating SiGeHBT base layer which is compatible with BiCMOS process.
为抑制SiGeHBT基区生长过程中岛状物生成,降低位错密度,基于渐变温度控制方法和图形外延技术,结合BiCMOS工艺,研发了在Si衬底上制备高质量Si1-xGex基区的外延生长方法。
2) variable temperature control
变温度控制
3) temperature variable control
温度变量控制
4) Test of gradually changing temperature environment
温度渐变试验
5) Variable static pressure and variable temperature control
变静压变温度控制
6) temperature change control
变温控制
补充资料：过热蒸汽温度控制
分子式：
CAS号：
性质：过热蒸汽温度控制的目标是维持过热器出口蒸汽温度在工艺允许的范围内，控制手段主要分为两类：(1)通过特殊的烟道挡板来改变流经过热器的烟气量以达到控制过热蒸汽温度的目的；(2)通过安装在蒸汽管线上的减温水流量的改变来控制过热蒸汽温度。
CAS号：
性质：过热蒸汽温度控制的目标是维持过热器出口蒸汽温度在工艺允许的范围内，控制手段主要分为两类：(1)通过特殊的烟道挡板来改变流经过热器的烟气量以达到控制过热蒸汽温度的目的；(2)通过安装在蒸汽管线上的减温水流量的改变来控制过热蒸汽温度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条