1) alkylthiolanium cation
烷基噻吩阳离子
2) alkylthiophene
烷基噻吩
1.
The results showed that over solid acid catalyst hexanethiol was mainly transformed into H_2S and olefins,and into thiophene with few probability,according to which,the formations of thiophene and alkylthiophenes in the reaction of heptene with H_.
因此,在庚烯与H2S反应中,噻吩及烷基噻吩的生成不是以饱和硫醇为过渡态,而是以不饱和硫醇为过渡态。
3) 3-alkylthiophene
3-烷基噻吩
1.
Novel synthesis metal 3-alkylthiophene copolymer;
新型合成金属3-烷基噻吩共聚物(英文)
4) poly(alkylthiophene)s
烷基聚噻吩
5) thiophene alkylation
噻吩烷基化
1.
The influence of hexene concentration on the behavior of thiophene alkylation over Hβ zeolite was investigated.
以Hβ分子筛作为催化剂,考察了在汽油噻吩烷基化反应脱硫过程中,己烯的聚合对噻吩烷基化反应和Hβ的催化性能的影响。
6) poly(3-alkylthiophene)
聚烷基噻吩
补充资料：聚3-烷基噻吩
分子式：
CAS号：
性质： 为重要的含硫原子的杂环共轭型导电聚合物，多以3-位烷基取代的噻吩为原料，经电化学氧化聚合方法制备。与聚吡咯类似，聚噻吩型高分子的电导率与聚乙炔相当，但是对环境的稳定性好于聚乙炔。在3-位引入烷基之后聚合物的溶解性能得到改善，可加工性能提高，而引入的烷基对共轭体系的共平面影响相对较小，对电导性能影响不大。性能的改善与引入烷基的体积大小有关系。带有烷基取代的单体多由噻吩和卤代烷通过格氏反应完成。聚3-烷基取代噻吩的用途主要作为固态电池的电极材料和电极修饰材料，聚噻吩衍生物的电化学掺杂和去掺杂可以完全可逆进行，已经用于开关二极管等有机电子器件的研究。由于含有芳杂环和线性共轭骨架，3-烷基取代聚噻吩还具有光导电性质，是潜在的光导电材料。
CAS号：
性质： 为重要的含硫原子的杂环共轭型导电聚合物，多以3-位烷基取代的噻吩为原料，经电化学氧化聚合方法制备。与聚吡咯类似，聚噻吩型高分子的电导率与聚乙炔相当，但是对环境的稳定性好于聚乙炔。在3-位引入烷基之后聚合物的溶解性能得到改善，可加工性能提高，而引入的烷基对共轭体系的共平面影响相对较小，对电导性能影响不大。性能的改善与引入烷基的体积大小有关系。带有烷基取代的单体多由噻吩和卤代烷通过格氏反应完成。聚3-烷基取代噻吩的用途主要作为固态电池的电极材料和电极修饰材料，聚噻吩衍生物的电化学掺杂和去掺杂可以完全可逆进行，已经用于开关二极管等有机电子器件的研究。由于含有芳杂环和线性共轭骨架，3-烷基取代聚噻吩还具有光导电性质，是潜在的光导电材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条