1) nonholonomic mapping
非完整映射
1.
The method of nonholonomic mapping is utilized to construct a Riemann-Cartan space embedded into a known Riemann space.
利用非完整映射方法,从一个已知Riemann空间构造一个嵌入其中的Riemann-Cartan空间。
2) perfect nonlinear mappings
完美非线性映射
1.
This paper constructs a class of perfect nonlinear mappings from Zn p to Zm p, for all prime number p, even number n and positive integer mmn2.
完美非线性映射在原差分攻击中起着重要作用 。
2.
We give a construction of perfect nonlinear mappings using generalized bent functions and irreducible polynomials over the finite field Z p.
在分组密码中 ,为了抗差分攻击 ,需要完美非线性映射 。
3) complete mapping
完全映射
1.
Constructions of a special kind of linear complete mappings;
一类线性完全映射的构造
2.
This paper proves that the omni-direction permutations constructed by recurring shift Latin square Dp and Latin square Wp on the finite primary field Fp must be complete mappings on Abelian group Fp, and prove that these omni-direction permutations are also linear functions on Fp.
证明了利用有限素域Fp上的循环移位拉丁方Dp和拉丁方Wp产生的全向置换必定是Fp加群上的完全映射,而且这类全向置换一定是F上的线性函数。
4) Perfect mapping
完备映射
1.
The notion of perfectly base-paracompact spaces is introduced and the following results are proved:(1) Let f:Z→Y be a perfect mapping,if Y is a perfectly base-paracompact space,then X is perfectly base-paracompact;(2)Let X is a perfectly base-paracompact.
引入了完全基-仿紧空间,并且获得了如下主要结果:(1)设f:X→Y为完备映射,Y为完全基-仿紧空间,则X是完全基-仿紧空间;(2)设X是完全基-仿紧空间,Y是紧空间,则X×Y是完全基-仿紧空间;(3)设X是完全基-仿紧空间,Y是局部紧的完全基-仿紧空间,则X×Y是基-仿紧空间。
2.
The result is that the ppl-and wppl-space are preserved by the inverse image of perfect mapping.
对ppl-空间、wppl-空间的映射性质进行了探讨,得到的主要结果为:ppl-空间、wppl-空间为完备映射的逆象所保持。
3.
The notion of countably base-mesocompact spaces is introduced and the followingresults are proved:1)Let be a perfect mapping.
文章引入了可数基-中紧空间,并且获得了如下主要结果:1)设f:X→Y为完备映射,Y为可数基-中紧空间,则X是可数基-中紧空间。
5) perfect map
完备映射
6) global mapping
整体映射
1.
LOD description of irregular 3D mesh based on global mapping;
基于整体映射的不规则三维模型多细节层次描述
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条