1) electric resonators
电谐振单元
2) RSPUDTcell
谐振腔单元
3) magnetic resonators
磁谐振单元
1.
The resonance frequency bands of triangular electric and magnetic resonators could be overlapped through careful design and optimization.
通过设计和优化三角形电谐振单元和磁谐振单元,使其二者谐振频段基本重合,从而构成左手材料(Left-handed material,LHM)。
4) microstrip resonator cell
微带线谐振单元
5) Compact Microstrip Resonant Cell (CMRC)
微带谐振单元
6) spiral compact microstrip resonant cell(SCMRC)
螺旋微带谐振单元
1.
An improved spiral compact microstrip resonant cell(SCMRC) was presented.
提出了一种改进型螺旋微带谐振单元(SCMRC)的结构。
补充资料：电磁谐振腔
| 电磁谐振腔 electromagnetic resonant cavity 微波波段的谐振电路。通常在波导的两端用导电板短路而构成的封闭腔体 。电磁场被限制在腔内，没有辐 射损耗，谐振腔的品质因数Q值较高。随着谐振频率的提高，要求腔体的尺寸减小 ，致使损耗加大 ，Q 值下降，所以在毫米波、亚毫米波还采用开放腔。在理想的无耗谐振腔内，任何电磁扰动一旦发生就永不停歇。当扰动频率恰使腔内的平均电能和平均磁能相等时便发生谐振，这个频率称为谐振频率。腔内的电磁场可根据腔的边界条件求解麦克斯韦方程组而得出，它是一组具有一定正交性的电磁场模式的叠加。按波导两端被短路的观点，腔内的电磁场也可认为是波在腔壁上来回反射而形成的驻波场。当腔长等于某种模式的1／2波导波长整数倍时，该模式发生谐振，称为谐振模。谐振腔和外电路的能量耦合方式有：环耦合、探针耦合和孔耦合。谐振腔的主要参数是谐振频率f 和品质因数Q。谐振频率决定于腔的形状、尺寸和工作模式。谐振腔的有载品质因数Q由谐振腔的内部损耗和外部损耗决定。内部损耗取决于腔壁导体的损耗和腔内介质的损耗，外部损耗取决于通过耦合元件反映的外电路负载情况。 |
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参考词条