1) Al_2O_3thin films
Al_2O_3薄膜大学
2) γ-aluminamembranes
γ-Al_2O_3薄膜
3) SiO_2-Al_2O_3 film
SiO_2-Al_2O_3薄膜
4) alumina film
Al_2O_3薄膜
1.
Amorphous alumina films were prepared on the quartz substrates by RF magnetron sputtering using theα-Al_2O_3 ceramic target.
采用α-Al_2O_3陶瓷靶材,以射频磁控溅射法在石英基片上沉积制备了非晶Al_2O_3薄膜。
5) Al_2O_3 film
Al_2O_3薄膜
1.
The optical characteristics on the interrelation between wavelength and refractivity,absorptance,film thickness of the Al_2O_3 films prepared by medium frequency reactive magnetron sputtering is studied,and the formulas expressing the irrelation are obtained in the range of 400-1000nm.
采用中频反应磁控溅射技术在玻璃基片上制备了Al_2O_3薄膜,提出了一种利用透射光谱来简单有效地分析弱吸收薄膜的光学特性及与光学相关的其它物理特性的方法。
6) Er-implanted Al_2O_3 thin film
掺Er-Al_2O_3薄膜
1.
Photoluminescence characterization of Er -implanted Al_2O_3 thin films;
掺Er-Al_2O_3薄膜发光特性的研究
补充资料：Al
元素符号： al 英文名： aluminum 中文名： 铝
相对原子质量： 26.9815 常见化合价： +3 电负性： 1.61
外围电子排布： 3s2 3p1 核外电子排布： 2,8,3
同位素及放射线： al-26[730000y] *al-27 al-28[2.3m]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 2.702 g/cm3 单质熔点： 660.37 ℃ 单质沸点： 2467 ℃
原子半径： 1.82 埃 离子半径： 0.51(+3) 埃 共价半径： 1.18 埃
常见化合物： al2o3 alcl3 al2s3 naalo2 al2(so4)3 al(oh)3
发现人： 厄斯泰德、维勒 时间： 1825 地点： 丹麦
名称由来：
拉丁文：alumen， aluminis（铝）。
元素描述：
柔软轻质的银白色金属，在地壳中含量第三。
元素来源：
自然界完全没有铝单质存在。可以电解铝土(al2o3)制取铝。
元素用途：
上自飞机下到易拉罐应用广泛。因为纯铝太柔软，所以要加入不到1%的硅或铁以加大其硬度和强度。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条