2) nonlinear elliptic projection
非线性椭圆投影
1.
In the paper,a nonlinear elliptic projection is presented to replace the linear ver-sion which is commonly used in error analysis of linear finite element procedure for a model ofquasilinear parabolic equations with monotone property,and the optimaI L￣2 error estimates isobtained which is not easily reached by the linear projection.
以一类具有单调性质的拟线性抛物方程为模型，对相应的线性有限元格式，提出一种非线性椭圆投影以代替常规的线性椭圆投影，进而得到了该类问题的最优Ｌ￣２误差估计，这是用通常的线性投影难以做到的。
3) nonlinear projection equation
非线性投影方程
1.
Some new existence theorems of solution for a class of nonlinear projection equations;
一些新的非线性投影方程解的存在性
2.
A perturbed iterated algorithm and the convergence of the solutions to a class of nonlinear projection equations in the Hilbert space is discussed.
在Hilbert空间中讨论了一类非线性投影方程解的扰动迭代算法及其收敛性分析。
5) linear projection method
线性投影法
1.
By means of comparison of three index non-dimension management methods such as ideal index value processing method, Z-Score method, and linear projection method, the method of linear pr.
在计算指标权重时,运用了专家组综合判断矩阵,体现了专家的群组意愿;比较了理想指标值处理法、Z-Score法、"线性投影法"3种指标无量纲化处理方法的优劣,选择"线性投影法",一方面使各指标无量纲处理后的评价标准值在(0~1)范围内,避免了因指标原始值大小与散布程度使评价结果的失真;另一方面也避免了因选取理想指标值的主观性而造成的误差。
6) quasi-linear projector
拟线性投影
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条