1) Relaxed SiGe buffer
驰豫SiGe缓冲层
2) relaxed buffer
弛豫缓冲层
3) over-shot
过冲驰豫
1.
The electrical conductivity response shows the over-shot phenomenon.
利用粉末反溅研制了SnO_2/CeO_2 Si基微型平面薄膜元件,最佳乙醇灵敏度达到80,响应时间<10s,恢复时间<15s;采用闭式实验测量方法时出现了过冲驰豫现象,对其产生机理的物理过程进行了分析,找出了规律,并使用Matlab软件进行了仿真。
4) SiGe buffer layer
锗硅弛豫缓冲层
5) relaxation
[英][,ri:læk'seɪʃn] [美]['rilæk'seʃən]
驰豫
1.
Orientational relaxation of C_(60) researched by extremal dynamic model;
C_(60)取向驰豫的极限动力学研究
2.
The equation describe the existences of the resonance states and the relaxation.
导出并求解了跃迁几率振幅的运动方程，该方程正确描写了共振态的存在和驰豫现象。
3.
And we will study the influence of the quantum dimsension effect to the relaxation construction in the item.
项目主要研究在半导体和金属衬底上生长Pb薄膜时的量子尺寸效应,即纳米量级的厚度对薄膜生长规律的影响,进而探讨量子尺寸效应对驰豫结构的影响。
6) strain relaxed SiGe buffer
SiGe弛豫衬底
1.
The SiGe/Si quantum wells were designed and fabricated on the strain relaxed SiGe buffers and the optical properties were anlysised.
本文利用超高真空化学气相沉积系统(UHV/CVD),采用插入低温Ge层(LTGe)的方法制备Si基SiGe弛豫衬底(弛豫缓冲层),并在衬底上外延SiGe/Si多量子阱,研究其光学性质。
补充资料：“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
“质子-电子偶极-偶极”质子弛豫增强
物理学术语。原子核外层中不成对的电子质量小，但磁动性很强，可使局部磁场波动增强，促使氢质子弛豫加快，从而使T1和T2缩短，这种效应即为PEDDPRE。过渡元素和镧系元素大部分在d和f轨道有多个不成对电子，所以其离子往往具有PEDDPRE，可用来作顺磁性对比剂，如钆(Gd)。Gd在外层有7个不成对电子，具有很强的顺磁性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条