1) II—VI chalcogenide compounds
II-VI族硫属化合物
2) II-VI group dements compound semiconductor
II-VI族化合物半导体
3) metal chalcogenide
金属硫族化合物
1.
The present thesis aimed to explore a low-energy, environmental amiably synthesis route, Chemical Bath Deposition, for depositing metal chalcogenide photoelectric functional thin films, and characterize the structure, morphology and optical properties of obtained thin films.
本文主要探索通过一种低能、环境友好的合成路线一化学浴沉积，制备金属硫族化合物光电功能薄膜，并对所获得的薄膜样品的结构、形貌、光学性质进行表征。
2.
Metal chalcogenides are important functional materials with wide applications in the optical,electronic and optoelectronic field.
金属硫族化合物是一类重要的功能材料,在光学、电子学及光电领域都有着重要的应用。
4) transition metal cluster chalcogenides
过渡金属簇硫族化合物
5) Transition-metal dichalcogenide
过渡金属硫族化合物
补充资料：[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式：C16H16ClN3O3S
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
分子量：365.5
CAS号：26807-65-8
性质：暂无
制备方法：暂无
用途：用于轻、中度原发性高血压。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条