2) N-doped TiO_2 film
氮掺杂TiO_2薄膜
1.
In this way, N-doped TiO_2 films are successfully prepared.
本论文提出了一种利用离子注入和后续退火制备氮掺杂TiO_2薄膜的方法,以实现TiO_2的可见光催化。
3) N-TiO_2 film
N-TiO_2薄膜
1.
The aim of this investigation is to explore N-TiO_2 and Al/N-TiO_2 films with excellent hydrophilic property prepared by magnetron sputtering.
主要工作包括: (1)用TiN陶瓷靶,以O2、Ar为工作气体,采用射频反应磁控溅射法制备N-TiO_2薄膜。
4) Al/N-TiO_2 film
Al/N-TiO_2薄膜
1.
The aim of this investigation is to explore N-TiO_2 and Al/N-TiO_2 films with excellent hydrophilic property prepared by magnetron sputtering.
(2)用Al/Ti金属镶嵌靶,以O2、N2和Ar为工作气体,采用直流反应磁控溅射法制备Al-TiO_2、N-TiO_2和Al/N-TiO_2薄膜。
5) film doping
薄膜掺杂
6) V and N co-doped TiO_2
N、V共掺杂TiO_2
补充资料:[3-(aminosulfonyl)-4-chloro-N-(2.3-dihydro-2-methyl-1H-indol-1-yl)benzamide]
分子式:C16H16ClN3O3S
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
分子量:365.5
CAS号:26807-65-8
性质:暂无
制备方法:暂无
用途:用于轻、中度原发性高血压。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条