1) Cu diffusion
Cu扩散
1.
To reduce the Cu diffusion, the thin barrier is usually deposited at the surface of porous SiCOH films.
本文采用O_2的电子回旋共振等离子体对SiCOH薄膜表面进行处理,通过SiCOH薄膜结构的傅立叶红外光谱(FTIR)分析、表面形貌的原子力显微镜(AFM)分析,发现O_2等离子体处理提高了SiCOH薄膜表面的Si-O交联度,使表面开放的孔封闭,形成了阻止Cu扩散的壁垒。
2) Ti-Cu diffusion couples
Ti-Cu扩散偶
1.
Ti-Cu diffusion couples with curving interfaces were prepared by mechanical method.
采用“铆钉法”制备了界面为曲面的Ti-Cu扩散偶。
3) Cu/Zn diffusion couple
Cu/Zn扩散偶
4) Cu-Al diffusion couples
Cu-Al扩散偶
1.
Cu-Al diffusion couples with curving interfaces were prepared by mechanical method.
利用“铆钉法”制备了界面为曲面的Cu-Al扩散偶。
5) Al-Cu diffusion couple
Al-Cu扩散偶
1.
Al-Cu diffusion couples with curving interfaces were prepared by mechanical method.
结果表明,Al-Cu扩散偶在500℃下保温25～125h和520℃下保温25～100h的热处理条件下界面形成了厚度均匀的扩散层,扩散层包括3个亚层;在520℃下保温125h时界面扩散层靠近Al基体一侧形成共晶组织,并迅速向Al基体内部扩展;扩散层的显微硬度明显高于Al、Cu基体,说明形成了脆性的金属间化合物。
6) CU diffusion barrier
Cu扩散阻挡层
补充资料：Cu
铜
元素中文名:铜 原子量：55.847 熔点：1083c 原子序数：29
元素英文名: copper 价电子：3d10 沸点：2567c 核外电子排布:2,8,18,1
元素符号： cu 英文名： copper 中文名： 铜
相对原子质量： 63.55 常见化合价： +1,+2 电负性： 1.9
外围电子排布： 3d10 4s1 核外电子排布： 2,8,18,1
同位素及放射线： cu-61[3.4h] cu-62[9.7m] *cu-63 cu-64[12.7h] cu-65 cu-67[2.6d]
电子亲合和能： 118.3 kj·mol-1
第一电离能： 745 kj·mol-1 第二电离能： 1958 kj·mol-1 第三电离能： 3555 kj·mol-1
单质密度： 8.96 g/cm3 单质熔点： 1083.0 ℃ 单质沸点： 2567.0 ℃
原子半径： 1.57 埃 离子半径： 0.73(+2) 埃 共价半径： 1.17 埃
常见化合物： cuo cu2o cu2s cucl2 cu(oh)2 cuso4 cufes2 [cu(nh3)2]oh cuf2 cubr2
发现人： 远古就被发现 时间： 0 地点： 未知
名称由来：
元素符号来自拉丁文“cuprum”（以铜矿著称的塞浦路斯岛）。
元素描述：
柔韧有延展性的红棕色金属。
元素来源：
自然界很少存在铜单质。铜元素通常只见于硫化物如黄铜矿(cufes2)、coveline(cus)、辉铜矿，或者氧化物如赤铜矿中。
元素用途：
主要用作导体，也用于制造水管。铜合金可用作首饰和钱币的材料。
网络用语:see you，再见
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参考词条