1) GaAs cathode component
GaAs阴极组件
2) GaAs photocathode
GaAs光阴极
1.
GaAs/AlGaAs layers,used as GaAs photocathode materials,were grown by metal organic chemical vapor deposition on GaAs substrates.
为探索砷化镓光阴极的光电灵敏度的影响因素 ,利用X射线光电子能谱、二次离子质谱和电化学方法测试和分析了国内和国外GaAs光阴极材料GaAs/AlGaAs的C ,O含量和空穴浓度分布。
2.
Electrostatic bonding method is proposed to combine GaAs photocathode materials and glass.
提出了用于GaAs光阴极粘结的静电键合方法。
3) GaAs cathode
GaAs阴极
1.
The gas composition released from cesium source materials of GaAs cathode was analyzed with a quadrupole mass spectrometer.
运用四极质谱计对微光管GaAs阴极激活铯源材料除气时释放的残气进行分析,发现受污染铯放气成分主要是C,CO,CO2,CxHy等残气,它们是使GaAs阴极灵敏度低的主要原因。
2.
As for the GaAs cathode sensitivity decrease of the third generation LLL image intensifier, the effect of the residual gas on emission property of GaAs cathode in vacuum is analysed.
针对三代微光像增强器的GaAs阴极灵敏度下降,分析真空残气对阴极发射性能的影响。
5) GaAs photocathode
GaAs光电阴极
1.
Stability of GaAs photocathodes under different intensities of illumination;
GaAs光电阴极在不同强度光照下的稳定性
2.
A dedicated,computer-automated multi-information measurement system has been successfully developed,based on field bus,which is capable of on-line measuring,acquiring,saving and processing most information involved in GaAs photocathode preparation,including the pressure of the activation vacuum chamber,photocurrent of the photocathode,spectral response,current of both Cs and O sources.
研制了一套基于现场总线技术的GaAs光电阴极多信息量测试系统,该系统可在线测试和保存阴极制备过程中的大部分信息量,如激活系统的真空度、阴极光电流、光谱响应曲线、Cs源和O源电流等。
3.
A novel computer-controlled multi-function system has been developed to characterize GaAs photocathode.
利用自行研制的GaAs光电阴极多信息量测试与评估系统,比较了不同Cs、O激活方式下GaAs光电阴极的激活过程、光谱响应特性以及稳定性的差异,发现与传统的Cs源、O源交替断续激活方式相比,Cs源持续,O源断续的激活方式能获得灵敏度更高和稳定性更好的阴极,且阴极的长波响应能力也得到提高。
6) GaAs module
GaAs组件
补充资料：Ga
镓
元素中文名:镓 原子量：69.735 熔点：9.78c 原子序数：31
元素英文名: gallium 价电子：4p1 沸点：2403c 核外电子排布: 2,8,18,3
元素符号： ga 英文名： gallium 中文名： 镓
相对原子质量： 69.72 常见化合价： +3 电负性： 1.8
外围电子排布： 4s2 4p1 核外电子排布： 2,8,18,3
同位素及放射线： ga-66[9.5h] ga-67[3.3d] ga-68[1.1h] *ga-69 ga-71 ga-72[14.1h]
电子亲合和能： 48 kj·mol-1
第一电离能： 577.6 kj·mol-1 第二电离能： 1817 kj·mol-1 第三电离能： 2745 kj·mol-1
单质密度： 5.907 g/cm3 单质熔点： 29.78 ℃ 单质沸点： 2403.0 ℃
原子半径： 1.81 埃 离子半径： 0.62(+3) 埃 共价半径： 1.26 埃
常见化合物： gao ga2o ga2o3
发现人： 布瓦博德朗 时间： 1875 地点： 法国
名称由来：
拉丁文：gallia（法国）。
元素描述：
柔软的蓝白色金属。
元素来源：
见于地壳中的铝土岩、锗石和煤炭等矿产中。
元素用途：
用于半导体工业，制造led（发光二极管）和砷化镓激光二极管。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条